一种带ESD保护的中压NMOS功率器件和制造方法
申请人信息
- 申请人:深圳市创飞芯源半导体有限公司
- 申请人地址:518057 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科技路9号桑达科技工业大厦525
- 发明人: 深圳市创飞芯源半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种带ESD保护的中压NMOS功率器件和制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311500833.X |
| 申请日 | 2023/11/13 |
| 公告号 | CN117558727A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | H01L27/02 |
| 权利人 | 深圳市创飞芯源半导体有限公司 |
| 发明人 | 杨旭刚 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区科技路9号桑达科技工业大厦525 |
摘要文本
深圳市创飞芯源半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种带ESD保护的中压NMOS功率器件和制造方法，属于电子器件技术领域，中压NMOS功率器件包括：P型衬底、P型外延层、边缘寄生单元、第一电阻、基极、源极、栅极、漏极和ESD保护单元；P型衬底上设置有P型外延层；P型外延层中设置有边缘寄生单元、第一电阻和基极；P型外延层上设置有源极、栅极和漏极；源极、栅极和漏极与ESD保护单元电性连接；边缘寄生单元的第一极与源极电性连接，第二极与漏极电性连接，第三极通过第一电阻与基极电性连接；栅极上开设有注入窗口，P型外延层设置有注入腔，注入腔与注入窗口连通，边缘寄生单元设置于注入腔的底部，通过注入窗口向注入腔中注入固定剂，以对边缘寄生单元进行固定。
专利主权项内容
1.一种带ESD保护的中压NMOS功率器件，其特征在于，包括：P型衬底、P型外延层、边缘寄生单元、第一电阻、基极、源极、栅极、漏极和ESD保护单元；所述P型衬底上设置有P型外延层；所述P型外延层中设置有所述边缘寄生单元、所述第一电阻和所述中压NMOS功率器件的基极；所述P型外延层上设置有所述中压NMOS功率器件的源极、栅极和漏极；所述中压NMOS功率器件的源极、栅极和漏极与所述ESD保护单元电性连接；所述边缘寄生单元的第一极与所述中压NMOS功率器件的源极电性连接，所述边缘寄生单元的第二极与所述中压NMOS功率器件的漏极电性连接，所述边缘寄生单元的第三极通过所述第一电阻与所述中压NMOS功率器件的基极电性连接；所述中压NMOS功率器件的栅极上开设有注入窗口，所述P型外延层设置有注入腔，所述注入腔与所述注入窗口连通，所述边缘寄生单元设置于所述注入腔的底部，通过注入窗口向所述注入腔中注入固定剂，以对所述边缘寄生单元进行固定。