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一种沟槽型超结硅MOSFET及制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种沟槽型超结硅MOSFET及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311724573.4 |
| 申请日 | 2023/12/15 |
| 公告号 | CN117410322A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | H01L29/423 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 刘涛 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种沟槽型超结硅MOSFET及制备方法，该MOSFET包括：沟槽栅极、P柱和N柱；沟槽栅极包括第一延伸部和第二延伸部；第一延伸部位于Pwell层之间并与Pwell层邻接；第二延伸部位于Pwell层、第一延伸部、P柱和N柱之间并与Pwell层、P柱和N柱邻接；第一延伸部的第一端与第二延伸部连接；第一延伸部和第二延伸部构成倒T字型；P柱位于Pwell层、第二延伸部、N柱和衬底之间；P柱与Pwell层、N柱和衬底邻接；N柱位于第二延伸部、P柱和衬底之间；N柱与衬底邻接。本发明通过在传统垂直沟槽的基础上对沟槽进行延伸，使得位于沟槽中的栅极的长度增加，栅极长度的增加会增加超结硅MOSFET的沟道长度，提高了超结硅MOSFET器件的热稳定性。
专利主权项内容
1.一种沟槽型超结硅MOSFET，其特征在于，包括：沟槽栅极、P柱和N柱；所述沟槽栅极包括第一延伸部和第二延伸部；所述第一延伸部位于Pwell层之间并与所述Pwell层邻接；所述第二延伸部位于所述Pwell层、所述第一延伸部、P柱和N柱之间并与所述Pwell层、所述P柱和所述N柱邻接；所述第一延伸部的第一端与所述第二延伸部连接；所述第一延伸部和所述第二延伸部构成倒T字型；所述P柱位于所述Pwell层、所述第二延伸部、所述N柱和衬底之间；所述P柱与所述Pwell层、所述N柱和所述衬底邻接；所述N柱位于所述第二延伸部、所述P柱和所述衬底之间；所述N柱与所述衬底邻接。