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一种氮化镓器件及其制作方法
申请人信息
- 申请人:深圳市至信微电子有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南十二路012号曙光大厦411
- 发明人: 深圳市至信微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种氮化镓器件及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311364170.3 |
| 申请日 | 2023/10/20 |
| 公告号 | CN117116764B |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L21/335 |
| 权利人 | 深圳市至信微电子有限公司 |
| 发明人 | 杨彪; 张爱忠; 冒晶晶 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南十二路012号曙光大厦411 |
摘要文本
深圳市至信微电子有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请公开了一种氮化镓器件及其制作方法，其中方法包括以下步骤：提供一器件半成品；器件半成品从下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层、AlGaN层以及氮化硅层；对器件半成品进行光刻，形成待注入区以及有源区；对待注入区进行离子注入工艺并进行退火工艺，形成注入电阻；在注入电阻的侧壁或者顶壁形成电阻电极；部分去除有源区的AlGaN层以及氮化硅层，形成第一沟槽以及第二沟槽；在第一沟槽上形成源极，以及在第二沟槽上形成漏极，以及在氮化硅层上形成栅极以及钝化层；其中，源极与电阻电极通过注入电阻连接；电气连接电阻电极与栅极，得到氮化镓器件。本方法可以提高电阻的稳定性。本申请可广泛应用于半导体技术领域。
专利主权项内容
1.一种氮化镓器件制作方法，其特征在于，包括：提供一器件半成品；所述器件半成品从下至上依次包括衬底、缓冲层、氮化镓沟道层、AlGaN势垒层以及氮化硅层；对所述器件半成品进行光刻，形成待注入区以及有源区；对所述待注入区进行离子注入工艺并进行退火工艺，在所述AlGaN势垒层形成注入电阻；在所述注入电阻的侧壁或者顶壁形成电阻电极，以使所述电阻电极与所述注入电阻现实电气连接；部分去除所述有源区的所述AlGaN层以及所述氮化镓层，形成第一沟槽以及第二沟槽；所述第一沟槽的侧壁为所述注入电阻的一个侧壁，所述第一沟槽的底壁为所述沟道层；所述第二沟槽的底壁为所述沟道层；在所述第一沟槽上形成源极，以及在所述第二沟槽上形成漏极，以及在所述氮化镓层上形成栅极以及钝化层；其中，所述源极与所述电阻电极通过所述注入电阻连接；电气连接所述电阻电极与所述栅极，得到氮化镓器件。。该数据由<马克数据网>整理