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一种逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311834083.X |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117476458A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L21/331 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 原一帆 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请属于功率器件技术领域，提供了一种逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片，其中，N型漂移层的正面依次形成有空穴势垒层、P型阱区，P型阱区上形成与发射极接触的第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区，N型漂移层的背面形成与集电极接触的N型集电区和P型集电区，多晶硅层通过栅极介质层与空穴势垒层、P型阱区、第一N型重掺杂区以及发射极隔离，通过设置N型集电区与集电极之间形成肖特基接触，可以降低空穴势垒层的高度，增加N型集电区的导通电势，有利于逆导绝缘栅双极晶体管在反向导通时排出空穴，从而消除器件存在电压回跳的问题。 来自马-克-数-据-官网
专利主权项内容
1.一种逆导绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，所述逆导绝缘栅双极晶体管的制备方法包括：在硅基底的正面注入N型掺杂离子形成电势截止层；在所述电势截止层上外延沉积硅层，并通过多次离子注入工艺形成N型漂移层、空穴势垒层以及P型阱区；在所述P型阱区上的第一预设区域和第二预设区域分别注入P型掺杂离子和N型掺杂离子，形成第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区；在所述硅基底的背面注入P型掺杂离子，形成P型集电区；对所述P型集电区的部分区域进行刻蚀，并沉积半导体材料后注入N型掺杂离子形成N型集电区；在所述P型阱区上的第三预设区域刻蚀形成第一深槽，并在所述第一深槽的内壁形成栅极介质层；在所述第一深槽内形成多晶硅层，并继续沉积栅极介质材料使得所述栅极介质层包裹所述多晶硅层；形成与所述第一P型重掺杂区和所述第一N型重掺杂区接触的发射极，并形成与所述P型集电区和所述N型集电区接触的集电极，形成与所述多晶硅层接触的栅极；其中，所述集电极与所述N型集电区之间为肖特基接触。