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掩膜版二次曝光自动对位方法、装置
申请人信息
- 申请人:深圳清溢微电子有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社区朗山二路8号清溢光电大楼501
- 发明人: 深圳清溢微电子有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 掩膜版二次曝光自动对位方法、装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311484285.6 |
| 申请日 | 2023/11/8 |
| 公告号 | CN117452778A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | G03F7/20 |
| 权利人 | 深圳清溢微电子有限公司 |
| 发明人 | 李跃松; 朱春辉; 郝明毅 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区西丽街道松坪山社区朗山二路8号清溢光电大楼501 |
摘要文本
深圳清溢微电子有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种掩膜版二次曝光自动对位方法及其装置，包括在掩膜版设计图样上设置若干对位标记组成的对位标记阵列，每个对位标记包含栅条区域和套刻图标，栅条区域内的栅格交点之间具有唯一识别参数；将带有对位标记阵列的掩膜版设计图样在一次曝光后进行二次涂胶处理；移动高倍镜使得十字标到达栅条区域，在栅条区域沿X或Y方向捕捉最近的三个栅格交点T1、T2、T3，获得向量和并计算得到栅条区域的中心点坐标，即对位标记的机器坐标；依次获取对位标记阵列中所有对位标记的机器坐标，将所有对位标记的机器坐标与掩膜版设计图样上对应的设计坐标进行匹配对准，根据对位后的参数进行二次曝光。本申请可以实现快速精确自动二次对位。
专利主权项内容
1.一种掩膜版二次曝光自动对位方法，其特征在于，所述方法包括：在掩膜版设计图样上设置若干对位标记组成的对位标记阵列，每个所述对位标记包含栅条区域和套刻图标，所述栅条区域内的栅格交点之间具有唯一识别参数；将带有所述对位标记阵列的所述掩膜版设计图样在一次曝光后进行二次涂胶处理；移动高倍镜使得十字标到达所述栅条区域，在所述栅条区域沿X或Y方向捕捉最近的三个栅格交点T1、T2、T3，获得向量和/>并计算得到所述栅条区域的中心点坐标，即所述对位标记的机器坐标；依次获取所述对位标记阵列中所有对位标记的机器坐标，将所有对位标记的机器坐标与所述掩膜版设计图样上对应的设计坐标进行匹配对准，根据对位后的参数进行二次曝光。