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MOS管测试电路、系统及方法

申请号: CN202311570301.3
申请人: 深圳豪成智能科技有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 MOS管测试电路、系统及方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311570301.3
申请日 2023/11/23
公告号 CN117607649A
公开日 2024/2/27
IPC主分类号 G01R31/26
权利人 深圳豪成智能科技有限公司
发明人 王龙林; 郑卓斌
地址 广东省深圳市南山区沙河街道高发社区深云路二号侨城一号广场主楼503

摘要文本

深圳豪成智能科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本申请涉及一种MOS管测试电路、系统及方法。所述电路中通断调节电路连接同一测试模块中的开关速度调节电路,开关速度调节电路连接在同一测试模块中的待测MOS管的栅极和源极之间;负载调节电路连接同一测试模块中的待测MOS管的漏极;处理器分别连接各通断调节电路,通过负载调节电路模拟实际应用中的模拟负载数值,进而模拟测试MOS管的负载性能;可通过开关速度调节电路去调整待测MOS管的开启速度,进而测试待测MOS管的开关速度是否能满足产品设计需求,能快速选出性价比高的MOS管,也能以最低成本完成MOS管的老化测试与验证,进而确保产品的可靠性,另外能通过大批量对MOS管进行老化测试,降低了测试成本。

专利主权项内容

1.一种MOS管测试电路,其特征在于,包括:测试模组,所述测试模组包括若干个测试模块,所述测试模块包括通断调节电路、开关速度调节电路和负载调节电路;所述通断调节电路连接同一所述测试模块中的所述开关速度调节电路,所述开关速度调节电路连接在同一所述测试模块中的待测MOS管的栅极和源极之间;所述负载调节电路连接同一所述测试模块中的所述待测MOS管的漏极;所述通断调节电路被配置为根据开通信号,控制所述待测MOS管导通;所述开关速度调节电路被配置为根据应用产品的预设开关速度,调节对应所述待测MOS管的模拟开关速度数值;所述负载调节电路被配置为根据所述应用产品的预设负载数据,调节对应所述待测MOS管的模拟负载数值;处理器,所述处理器分别连接各所述通断调节电路,所述处理器被配置为根据测试指令,向相应的所述通断调节电路传输所述开通信号。。微信公众号马克 数据网