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一种栅极下方具有P型空间层的SiC超结MOS及制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种栅极下方具有P型空间层的SiC超结MOS及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311778300.8 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117457748A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 乔凯 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供一种栅极下方具有P型空间层的SiC超结MOS及制备方法，该SiC超结MOS包括：P型空间层、P柱和N柱；所述P型空间层位于N+区、栅极与P柱、N柱之间并与所述N+区、所述栅极、所述P柱、P+区和所述N柱邻接；所述N柱位于所述P型空间层和衬底之间并与所述衬底邻接；所述P柱位于所述衬底与所述P+区、P型空间层之间并与所述衬底、所述P+区邻接。本发明在沟槽栅极下方引入了P型空间层，因为P型空间层的厚度很薄，所以当栅极接正电压的时候，在较低的栅极电压下就会在P型空间层形成反型层，从而形成从N+区到P型空间层，从P型空间层到漂移层最后到集电极的导电通路，导电通路短路了栅极氧化层的界面沟道，降低了SiC超结MOS的导通电阻。
专利主权项内容
1.一种栅极下方具有P型空间层的SiC超结MOS，其特征在于，包括：P型空间层、P柱和N柱；所述P型空间层位于N+区、栅极与P柱、N柱之间并与所述N+区、所述栅极、所述P柱、P+区和所述N柱邻接；所述N柱位于所述P型空间层和衬底之间并与所述衬底邻接；所述P柱位于所述衬底与所述P+区、P型空间层之间并与所述衬底、所述P+区邻接。。 （来自 马克数据网）