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一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiC UMOS及制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiC UMOS及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311632957.3 |
| 申请日 | 2023/12/1 |
| 公告号 | CN117334748A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 乔凯 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiC UMOS及制备方法，该SiC UMOS包括：HK介质层和肖特基金属；所述HK介质层位于源极沟槽与衬底之间，并与衬底和N‑drift层邻接；所述肖特基金属位于N‑drift层与源极之间，用于提供从源极到漏极的导电通道。本发明将肖特基二极管反并联在源极沟槽底部的两侧壁，肖特基二极管的开启电压远小于体二极管，在SiC UMOS处于反向状态时肖特基二极管能够在较低的压降下开启，在不增加芯片面积的情况下起到反向续流作用，并且在源极沟槽下方设置了HK介质层用于避免沟槽底部漏电，还能够改善电场分布，防止电场线集中损毁SiC UMOS，显著地提高了SiC UMOS的电气性能。 关注微信公众号专利查询网
专利主权项内容
1.一种源极沟槽集成SBD与HK介质SiC UMOS，其特征在于，包括：HK介质层和肖特基金属；所述HK介质层位于源极沟槽与衬底之间，并与衬底和N-drift层邻接；所述肖特基金属位于N-drift层与源极之间，用于提供从源极到漏极的导电通道。 百度搜索马 克 数 据 网