一种HK-IGBT及其制备方法、芯片

专利主权项内容

1.一种HK-IGBT的制备方法，其特征在于，所述HK-IGBT的制备方法包括：在硅基底的正面注入N型掺杂离子形成电势截止层；在所述电势截止层上外延沉积硅层，并通过多次离子注入工艺形成N型漂移层、空穴势垒层以及P型阱区；在所述P型阱区上的第一预设区域和第二预设区域分别注入N型掺杂离子和P型掺杂离子，形成第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区以及第二N型重掺杂区；其中，所述第一P型重掺杂区位于所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区之间；在所述P型阱区上的第三预设区域和第四预设区域进行刻蚀形成第一深槽和第二深槽，并在所述第一深槽和所述第二深槽内沉积高介电常数的介质材料以形成第一高K介质层和第二高K介质层；其中，所述第一深槽与所述第一N型重掺杂区接触，所述第二深槽与所述第二N型重掺杂区接触；在所述第一深槽的内壁形成第一栅极介质层，在所述第二深槽的内壁形成第二栅极介质层；在所述第一深槽内形成第一多晶硅层，在所述第二深槽内形成第二多晶硅层，并继续沉积栅极介质材料，使得所述第一栅极介质层包裹所述第一多晶硅层，所述第二栅极介质层包裹所述第二多晶硅层；在硅基底的背面注入P型掺杂离子，形成P型集电区；形成与所述第一P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区、所述第二N型重掺杂区接触的发射极，并形成与所述P型集电区接触的集电极，形成与所述第一多晶硅层接触的第一栅极以及与所述第二多晶硅层接触的第二栅极。