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具有隔绝结构的超结MOSFET及其制备方法、芯片
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 具有隔绝结构的超结MOSFET及其制备方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311846960.5 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117497421A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 贺俊杰 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有隔绝结构的超结MOSFET及其制备方法、芯片，在N型漂移层的两侧分别形成第一P柱和第二P柱，用以提高器件的击穿电压，并在第一P型体区与第一P柱之间形成第一绝缘介质层，在第二P型体区与第二P柱之间形成第二绝缘介质层，从而在器件两侧形成隔绝结构，可以显著降低器件内体二极管的反向恢复电流，降低器件在电路中的功耗损失。
专利主权项内容
1.一种具有隔绝结构的超结MOSFET的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在硅基底上外延生长并注入N型掺杂离子形成N型衬底；在所述N型衬底上外延沉积硅层，并通过离子注入工艺形成N型漂移层、第一P柱、第二P柱；其中，所述第一P柱和所述第二P柱分别形成于所述N型漂移层的两侧；在所述第一P柱上形成第一绝缘介质层，在所述第二P柱上形成第二绝缘介质层；继续外延沉积硅层，并通过离子注入在所述N型漂移层的两侧分别形成第一P型体区和第二P型体区；在所述第一P型体区上形成第一N型源区，在所述第二P型体区上形成第二N型源区；在所述N型漂移层上以及所述第一P型体区、所述第二P型体区、所述第一N型源区、所述第二N型源区上的部分区域形成栅极介质层；在所述栅极介质层上形成栅极多晶硅，并继续形成栅极介质层，以包裹所述栅极多晶硅；形成与所述第一N型源区和所述第二N型源区接触的源极，并形成通过通孔与所述栅极多晶硅接触的栅极；在所述N型衬底的背面形成漏极。