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一种制备半绝缘氮化镓衬底的方法
申请人信息
- 申请人:深圳大学
- 申请人地址:518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号
- 发明人: 深圳大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种制备半绝缘氮化镓衬底的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311215007.0 |
| 申请日 | 2023/9/19 |
| 公告号 | CN117423612A |
| 公开日 | 2024/1/19 |
| IPC主分类号 | H01L21/228 |
| 权利人 | 深圳大学 |
| 发明人 | 刘新科; 王敏; 秦宏志; 张冠张; 黎晓华; 贺威; 朱德亮 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号 |
摘要文本
深圳大学取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供了一种制备半绝缘氮化镓衬底的方法，包括步骤：预处理氮化镓单晶非掺杂衬底；将氮化镓单晶非掺杂衬底置于超临界态第一介质中；在超临界态第一介质中溶解含碳元素的第二介质，保持预设时长；得到半绝缘氮化镓衬底。由于超临界态的第一介质具有极高的溶解性和渗透性，含碳元素的第二介质溶解在超临界态的第一介质中，可以被第二介质携带渗透到氮化镓单晶非掺杂衬底的内部，实现高效率掺杂，同时可以对衬底内部的缺陷起到有效的修复作用，制备出高质量的氮化镓半绝缘衬底。
专利主权项内容
1.一种制备半绝缘氮化镓衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：预处理氮化镓单晶非掺杂衬底；将所述氮化镓单晶非掺杂衬底置于超临界态第一介质中；在所述超临界态第一介质中溶解含碳元素的第二介质，保持预设时长；得到半绝缘氮化镓衬底。