一种沟槽栅碳化硅MOSFET及制作方法
申请人信息
- 申请人:深圳市森国科科技股份有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新南九道10号深圳湾生态园10栋A座12层
- 发明人: 深圳市森国科科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种沟槽栅碳化硅MOSFET及制作方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311721529.8 |
| 申请日 | 2023/12/14 |
| 公告号 | CN117410346B |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳市森国科科技股份有限公司 |
| 发明人 | 刘勇强; 杨承晋; 兰华兵 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新南九道10号深圳湾生态园10栋A座12层 |
摘要文本
深圳市森国科科技股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种沟槽栅碳化硅MOSFET，该方法包括：正面金属层、背面金属层、晶圆和设置在晶圆上的多个元胞结构，每个元胞结构包括沟槽栅、掺杂区、指定沟槽区和介质层；在每个元胞结构中，沟槽栅在掺杂区的一端，指定沟槽区在掺杂区的另一端，介质层位于晶圆之上，且介质层覆盖沟槽栅和掺杂区的一部分区域；正面金属层位于晶圆的上表面之上，且覆盖每个元胞结构的介质层；背面金属层位于晶圆之下；每个元胞结构的指定沟槽区与相邻的元胞结构的沟槽栅相邻设置，且每个元胞结构的指定沟槽区与相邻的元胞结构的沟槽栅之间存在指定间距。该器件有效遏制双极退化，避免栅氧容易击穿，提高栅氧寿命，降低损耗。
专利主权项内容
1.一种沟槽栅碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：正面金属层、背面金属层、晶圆和设置在所述晶圆上的多个元胞结构，每个元胞结构包括沟槽栅、掺杂区、指定沟槽区和介质层；所述晶圆的衬底层的材质为碳化硅；在所述每个元胞结构中，所述沟槽栅位于所述掺杂区的一端，所述指定沟槽区位于所述掺杂区的另一端，所述介质层位于所述晶圆的上表面之上，且所述介质层覆盖所述沟槽栅和所述掺杂区的一部分区域；所述正面金属层位于所述晶圆的上表面之上，且覆盖所述每个元胞结构的介质层；所述背面金属层位于所述晶圆之下；所述每个元胞结构的指定沟槽区与相邻的元胞结构的沟槽栅相邻设置，且所述每个元胞结构的指定沟槽区与相邻的元胞结构的沟槽栅之间存在指定间距，所述指定间距用于遏制碳化硅MOSFET双极退化；在所述每个元胞结构中，所述指定沟槽区的深度大于所述沟槽栅的深度；所述指定沟槽区包括：指定重掺杂区、指定栅氧层和指定多晶硅区；所述指定重掺杂区位于所述指定沟槽区内的底部；所述指定栅氧层位于所述指定沟槽区内，且位于所述指定重掺杂区的上侧，及位于所述指定重掺杂区之上的所述指定沟槽区的内壁上；所述指定多晶硅区位于所述指定栅氧层形成的区域内。