一种异质结碳化硅IGBT器件及其制备方法、芯片

专利主权项内容

1.一种异质结碳化硅IGBT器件，其特征在于，所述异质结碳化硅IGBT器件包括：漏极金属层、碳化硅P型掺杂层、碳化硅衬底层、缓冲层、N型碳化硅漂移层、P型氧化镍层、P柱、P型重掺杂层、肖特基金属层、N型阻挡层、P型基层、P型屏蔽层、栅极介质层、栅极多晶硅层、源极金属层、第一P型源区、第一N型源区；所述碳化硅P型掺杂层和所述碳化硅衬底层位于所述缓冲层与所述漏极金属层之间，所述N型碳化硅漂移层位于所述缓冲层上，且所述N型碳化硅漂移层呈L形结构；所述N型碳化硅漂移层的水平部上设有所述P柱；所述P型重掺杂层位于所述P柱与所述肖特基金属层之间，所述N型阻挡层位于所述N型碳化硅漂移层的垂直部与所述P型基层之间，所述第一P型源区和所述第一N型源区位于所述P型重掺杂层与所述源极金属层之间；所述P型屏蔽层位于所述N型碳化硅漂移层的垂直部上，所述栅极介质层位于所述栅极多晶硅层与所述P型屏蔽层之间，且所述栅极多晶硅层与所述源极金属层、所述第一N型源区、所述P型重掺杂层以及所述N型阻挡层之间由所述栅极介质层隔离；所述N型阻挡层与所述肖特基金属层之间形成肖特基接触，且所述肖特基金属层与所述源极金属层接触。