一种分离栅沟槽型MOSFET及其制备方法、芯片
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种分离栅沟槽型MOSFET及其制备方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311848200.8 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117497602A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 贺俊杰 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请属于功率器件技术领域，提供了一种分离栅沟槽型MOSFET及其制备方法、芯片，其中，漏极层、N型衬底层、立方碳化硅掺杂层、N型缓冲层、N型漂移层层叠设置，且N型漂移层设置为凹形结构，N型漂移层的凹槽内形成有分离栅多晶硅层、控制栅多晶硅层，N型漂移层的两侧部上方分别形成有第一P阱和第二P阱，第一P阱和所述第二P阱上分别形成有第一N型源区、第二N型源区，通过在分离栅多晶硅层与漏极层之间形成立方碳化硅掺杂层，可以利用立方晶系的碳化硅材料的高临界击穿电压，提高分离栅和漏极之间的耐压，从而达到提升器件的击穿电压的目的。
专利主权项内容
1.一种分离栅沟槽型MOSFET，其特征在于，所述分离栅沟槽型MOSFET包括：漏极层、N型衬底层、立方碳化硅掺杂层、N型缓冲层、N型漂移层、分离栅多晶硅层、控制栅多晶硅层、第一P阱、第二P阱、第一N型源区、第二N型源区、第一P型源区、第二P型源区、源极层、栅极层、栅极介质层；所述漏极层、所述N型衬底层、所述立方碳化硅掺杂层、所述N型缓冲层、所述N型漂移层层叠设置，且所述N型漂移层为凹形结构；其中，所述立方碳化硅掺杂层为N型掺杂；所述分离栅多晶硅层和所述控制栅多晶硅层形成于所述N型漂移层的凹槽内，且所述控制栅多晶硅层形成于所述分离栅多晶硅层上方，且与所述分离栅多晶硅层、所述第一P阱、所述第二P阱、所述第一N型源区、所述第二N型源区之间由所述栅极介质层隔离；所述第一P阱和所述第二P阱分别设于所述N型漂移层的两侧部上方，所述第一N型源区、所述第二N型源区分别设于所述第一P阱和所述第二P阱上；所述第一P型掺杂区形成于所述第一P阱与所述源极层之间，所述第二P型掺杂区形成于所述第二P阱与所述源极层之间；所述栅极层通过所述栅极介质层上的通孔与所述控制栅多晶硅层接触，所述源极层与所述第一N型源区和所述第二N型源区接触。