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超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311835355.8 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117497600A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 乔凯 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，一种超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，包括左右对称的两个子场效应管结构和多个第二有源层，左右对称的切面为矢状面，所述子场效应管结构包括衬底、漂移层、第一阱、半导体柱、第一有源层以及栅极结构；漂移层设置于衬底的上表面；第一阱设置于漂移层的上表面；其中，第一阱与矢状面之间设置预设距离；半导体柱设置于第一阱下表面；第一有源层设置于第一阱中且位于第一阱上表面；栅极结构覆盖第一阱顶部；多个第二有源层设置于两个栅极结构之间；半导体柱、第二有源层和第一阱的掺杂类型为第一类型；衬底、漂移层和第一有源层的为第二类型；减小了导通损耗和芯片面积，增大了可靠性和电流密度，简化了工艺。
专利主权项内容
1.一种超结碳化硅晶体管的结构，其特征在于，包括左右对称的两个子场效应管结构，左右对称的切面为矢状面，所述子场效应管结构包括：衬底；设置于所述衬底的上表面的漂移层；设置于所述漂移层的上表面的第一阱；其中，所述第一阱与所述矢状面之间设置预设距离；设置于所述第一阱中且位于所述第一阱上表面的第一有源层；覆盖所述第一阱顶部的栅极结构；设置于所述第一阱下表面的半导体柱；所述超结碳化硅晶体管的结构还包括：设置于两个所述栅极结构之间的多个第二有源层；其中，所述半导体柱、所述第二有源层和所述第一阱的掺杂类型为第一类型；所述衬底、所述漂移层和所述第一有源层的为第二类型。。数据由马 克 数 据整理