一种RC-LIGBT及其制备方法、芯片
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种RC-LIGBT及其制备方法、芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311835190.4 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117497410A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L21/331 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 原一帆 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请属于功率器件技术领域，提供了一种RC‑LIGBT及其制备方法、芯片，在SOI晶圆衬底的正面形成N型漂移层，在N型漂移层上形成P型阱区、电势截止层，在P型阱区上形成第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第三N型掺杂区，并将P型阱区划分为第一P型浮柱、第二P型浮柱以及第三P型浮柱，在电势截止层上形成P型集电区，形成发射极和集电极，其中集电极与P型集电区和N型集电区接触，通过设置N型集电区与集电极之间为肖特基接触，可以使得器件导通的初始阶段，增加N型集电区的导通电势，解决了器件存在的电压回弹的问题。
专利主权项内容
1.一种RC-LIGBT的制备方法，其特征在于，所述RC-LIGBT的制备方法包括：通过键合制备SOI晶圆衬底，并在所述SOI晶圆衬底的正面注入N型掺杂离子形成N型漂移层；在所述N型漂移层上第一预设区域注入P型掺杂离子形成P型阱区，并在所述N型漂移层的第二预设区域注入N型掺杂离子形成电势截止层；在所述P型阱区上的第三预设区域和第四预设区域注入P型掺杂离子形成第一P型掺杂区、第二P型掺杂区，在所述电势截止层的第五预设区域注入P型掺杂离子形成P型集电区；在所述P型阱区上的多个区域注入N型掺杂离子形成第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第三N型掺杂区，在所述电势截止层上的指定区域形成N型集电区；其中，所述第一N型掺杂区与所述第一P型掺杂区相邻，所述第二N型掺杂区、所述第三N型掺杂区分别位于所述第二P型掺杂区的两侧，所述N型集电区与所述P型集电区相邻；在所述P型阱区上形成第一深槽和第二深槽，将所述P型阱区划分为第一P型浮柱、第二P型浮柱以及第三P型浮柱；其中，所述第二N型掺杂区、所述第三N型掺杂区位于所述第一深槽和所述第二深槽之间；在所述第一深槽内形成第一栅极介质层以及第一多晶硅层，在所述第二深槽内形成第二栅极介质层以及第二多晶硅层；其中，所述第一栅极介质层包裹所述第一多晶硅层，所述第二栅极介质层包裹所述第二多晶硅层；形成与所述第一P型掺杂区、所述第二P型掺杂区、所述第一N型掺杂区、所述第二N型掺杂区以及所述第三N型掺杂区接触的发射极，并形成与所述P型集电区和所述N型集电区接触的集电极；其中，所述集电极与所述N型集电区之间为肖特基接触，所述集电极与所述P型集电区之间为欧姆接触。