一种异质结逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片

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1.一种异质结逆导绝缘栅双极晶体管的制备方法，其特征在于，所述异质结逆导绝缘栅双极晶体管的制备方法包括：在硅基底的正面的第一掺杂区域和第二掺杂区域分别注入P型掺杂离子和N型掺杂离子形成P型集电区和N型集电区；在所述P型集电区和所述N型集电区上外延生长硅材料，并注入N型掺杂离子形成电势截止层；在所述电势截止层上的预设区域刻蚀形成凹槽，并在凹槽内外延生长碳化硅材料后注入N型掺杂离子形成碳化硅掺杂层；其中，所述碳化硅掺杂层与所述电势截止层之间为异质结结构，且所述碳化硅掺杂层与所述N型集电区之间为异质结结构；在所述碳化硅掺杂层和所述电势截止层上外延沉积硅层，并通过多次离子注入工艺形成N型漂移层、空穴势垒层以及P型阱区；在所述P型阱区上的第一预设区域和第二预设区域分别注入P型掺杂离子和N型掺杂离子，形成第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区；在所述P型阱区上的第三预设区域刻蚀形成第一深槽，并在所述第一深槽的内壁形成栅极介质层；在所述栅极介质层上沉积多晶硅材料形成多晶硅层，并在形成所述多晶硅层后继续沉积栅极介质材料使得所述栅极介质层包裹所述多晶硅层；形成与所述第一P型重掺杂区和所述第一N型重掺杂区接触的发射极，并形成与所述P型集电区和所述N型集电区接触的集电极，形成与所述多晶硅层接触的栅极。