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闪存数据访问方法、电量计算方法、装置及存储介质
申请人信息
- 申请人:深圳市思远半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科苑南路3176号彩讯科技大厦十九层
- 发明人: 深圳市思远半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 闪存数据访问方法、电量计算方法、装置及存储介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311709747.X |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117406934A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | G06F3/06 |
| 权利人 | 深圳市思远半导体有限公司 |
| 发明人 | 马东捷; 曾熙斌; 刘娇 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科苑南路3176号彩讯科技大厦十九层 |
摘要文本
深圳市思远半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明实施方式提供一种闪存数据访问方法、电量计算方法、装置及存储介质。闪存数据访问方法包括：获取外部设备对寄存器组的访问信号；根据访问信号确定对应的操作指令，其中，操作指令设置在寄存器组内；解析操作指令以得到解析后指令信号；根据解析后指令信号发送对应的指令请求至闪存控制器，以使闪存控制器根据指令请求执行对闪存数据的访问。外部设备可以通过闪存数据访问装置访问对闪存控制器发出对应的指令请求至闪存控制器，闪存控制器可以根据接收到的指令请求访问FLASH。外部设备访问FLASH的工作流程简单，执行速度快。FLASH控制器不需要额外解析接收到的指令请求，可以减少FLASH控制器的复杂度，提高了外部设备对FLASH的灵活性和可靠性。
专利主权项内容
1.一种闪存数据访问方法，其特征在于，包括：获取外部设备对寄存器组的访问信号；根据所述访问信号确定对应的操作指令，其中，所述操作指令存储在所述寄存器组内；解析所述操作指令以得到解析后指令信号；根据所述解析后指令信号发送对应的指令请求至闪存控制器，以使所述闪存控制器根据所述指令请求执行对闪存数据的访问。 搜索马 克 数 据 网