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一种制备低电阻率衬底的方法
申请人信息
- 申请人:深圳大学
- 申请人地址:518060 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号
- 发明人: 深圳大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种制备低电阻率衬底的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311345034.X |
| 申请日 | 2023/10/17 |
| 公告号 | CN117626208A |
| 公开日 | 2024/3/1 |
| IPC主分类号 | C23C14/48 |
| 权利人 | 深圳大学 |
| 发明人 | 刘新科; 黄烨莹; 秦宏志; 张冠张; 黎晓华; 贺威; 朱德亮 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号 |
摘要文本
深圳大学取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明提供了一种制备低电阻率衬底的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底、第一物质和第二物质，其中，第二物质中具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素；对第一物质进行超临界化处理，获得超临界态第一物质；第二物质溶解于超临界态第一物质内，获得超临界态混合物；将半导体衬底和超临界态混合物反应，得到低电阻率衬底。通过将具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素的第二物质溶解在超临界态的第一物质内，获得超临界态混合物，能够渗透到纳米结构中，然后用超临界态混合物和半导体反应，即可使得具有使半导体衬底降低电阻的掺杂元素能够注入到半导体衬底的材料内部，获得低电阻率衬底，修复半导体晶体内部缺陷，具有高效、低成本、质量好的优势。
专利主权项内容
1.一种制备低电阻率衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底、第一物质和第二物质，其中，所述第二物质中具有使所述半导体衬底降低电阻的掺杂元素；对所述第一物质进行超临界化处理，获得超临界态第一物质；所述第二物质溶解于所述超临界态第一物质内，获得超临界态混合物；将所述半导体衬底和所述超临界态混合物反应，得到低电阻率衬底。