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碳化硅IGBT的结构、制造方法及电子设备
申请人信息
- 申请人:深圳天狼芯半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905
- 发明人: 深圳天狼芯半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 碳化硅IGBT的结构、制造方法及电子设备 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311836302.8 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117497579A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 发明人 | 乔凯 |
| 地址 | 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社区科技南路18号深圳湾科技生态园12栋裙楼904-905 |
摘要文本
深圳天狼芯半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，一种碳化硅IGBT的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，两个栅源结构左右对称，左右对称的切面为矢状面；漂移层设置于衬底的上表面；两个栅源结构和缓冲区均位于漂移层的上表面且间隔设置；第一有源区和第二有源区设置于缓冲区中且位于缓冲区上表面；电荷存储区设置于两个第一阱之间；栅源结构包括第一阱、第一有源层、第三有源区和栅极结构；第一阱设置于漂移层的上表面；第一阱与矢状面之间设置预设距离；第一有源层设置于第一阱中且位于第一阱上表面；第三有源区设置于第一阱远离矢状面一侧；栅极结构覆盖第一阱的顶部；多个第二有源层设置于两个栅极结构之间；减小了导通损耗和芯片面积，增大了可靠性，简化了工艺。
专利主权项内容
1.一种碳化硅IGBT的结构，其特征在于，包括左右对称的两个栅源结构、衬底、电荷存储区、漂移层、缓冲区、第一有源区和第二有源区，左右对称的切面为矢状面；所述漂移层设置于所述衬底的上表面；两个所述栅源结构和所述缓冲区均位于所述漂移层的上表面且间隔设置；所述第一有源区和所述第二有源区设置于所述缓冲区中且位于所述缓冲区上表面；所述电荷存储区设置于两个第一阱之间；所述栅源结构包括：设置于所述漂移层的上表面的所述第一阱；其中，所述第一阱与所述矢状面之间设置预设距离；设置于所述第一阱中且位于所述第一阱上表面的第一有源层；设置于所述第一阱远离所述矢状面一侧的第三有源区；覆盖所述第一阱的顶部的栅极结构；所述碳化硅IGBT的结构还包括：设置于两个所述栅极结构之间的多个第二有源层；其中，所述第三有源区、所述第二有源区、所述衬底、所述第二有源层和所述第一阱为第一类型；所述缓冲区、所述电荷存储区、所述漂移层、所述第一有源区和所述第一有源层的为第二类型。