单光子雪崩二极管、制备方法、光电检测装置和电子设备
申请人信息
- 申请人:深圳阜时科技有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室
- 发明人: 深圳阜时科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 单光子雪崩二极管、制备方法、光电检测装置和电子设备 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311308621.1 |
| 申请日 | 2023/10/11 |
| 公告号 | CN117059694B |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | H01L31/107 |
| 权利人 | 深圳阜时科技有限公司 |
| 发明人 | 刘德胜; 吕晨晋; 李佳鹏; 莫良华 |
| 地址 | 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室 |
摘要文本
深圳阜时科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提供了一种单光子雪崩二极管、制备方法、光电检测装置及电子设备。所述单光子雪崩二极管包括：半导体基材，其内形成有半导体类型不同的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区与第二掺杂区相互接触形成第一PN结，所述第二掺杂区与所述半导体基材相互接触形成第二PN结；第一电极，与所述半导体基材连接；第二电极，与所述第二掺杂区连接；其中，所述第一电极和第二电极用于被施加反向偏置电压以在所述第一PN结形成第一雪崩区；以及第三电极，其设置在所述半导体基材上的位置位于所述第二掺杂区与所述半导体基材的边缘之间，用于被施加电压以调节所述第二PN结上形成的电场以提高了单光子雪崩二极管的整体性能。 来自马-克-数-据-官网
专利主权项内容
1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括：半导体基材，其内形成有半导体类型不同的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区与第二掺杂区相互接触形成第一PN结，所述第二掺杂区与所述半导体基材相互接触形成第二PN结；第一电极，与所述半导体基材连接；第二电极，与所述第二掺杂区连接；其中，所述第一电极和第二电极用于被施加反向偏置电压以在所述第一PN结形成第一雪崩区；以及第三电极，所述第三电极设置在所述半导体基材上的位置位于所述第二掺杂区与所述半导体基材的边缘之间，所述第三电极用于被施加电压以调节所述第二PN结上形成的电场；其中，所述第二掺杂区具有面向所述第一掺杂区的底面，所述第一雪崩区形成在所述底面与所述第一掺杂区接触的区域，所述第二掺杂区具有与所述底面邻接的侧面，所述侧面与所述半导体基材相接触，所述第三电极被施加电压以调节所述侧面与所述半导体基材相接触部分的所述第二PN结上的电场，使得所述第二PN结内能够形成第二雪崩区以提升光电探测效率。 关注公众号马 克 数 据 网