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一种隧道磁电阻传感器及其使用的IrMn合金薄膜
申请人信息
- 申请人:深圳技术大学
- 申请人地址:518000 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号
- 发明人: 深圳技术大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种隧道磁电阻传感器及其使用的IrMn合金薄膜 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311726927.9 |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117750870A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | H10N50/85 |
| 权利人 | 深圳技术大学 |
| 发明人 | 王者; 宋秋明; 刘星; 张文伟; 贾原; 田金鹏; 陈宇龙; 张智星; 段天利 |
| 地址 | 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号 |
摘要文本
深圳技术大学取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及一种隧道磁电阻传感器及其使用的IrMn合金薄膜，包括衬底，和衬底以上的缓冲层、IrMn反铁磁层、人工合成反铁磁层、势垒层、自由层以及覆盖层；所述的IrMn反铁磁层IrMn合金薄膜，其中的Ir与Mn的原子比在膜的厚度方向上是变化的。该IrMn合金薄膜，采用独立的Ir和Mn靶材，通过共溅射制备，并在溅射过程中改变Mn靶溅射功率从而改变IrMn合金薄膜的组分。本发明公开的隧道磁电阻传感器及其使用的IrMn合金薄膜，其中Ir和Mn的组分沿着薄膜厚度的方向改变，显著提高了TMR率，具有优越的性能，降低了所需IrMn合金靶材的成本。
专利主权项内容
1.一种隧道磁电阻传感器使用的IrMn合金薄膜，其特征在于，所述的IrMn合金薄膜中的Ir与Mn的原子比在膜的厚度方向上是变化的。。关注公众号马克数据网