一种隧道磁电阻传感器及其使用的IrMn合金薄膜

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深圳技术大学取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及一种隧道磁电阻传感器及其使用的IrMn合金薄膜，包括衬底，和衬底以上的缓冲层、IrMn反铁磁层、人工合成反铁磁层、势垒层、自由层以及覆盖层；所述的IrMn反铁磁层IrMn合金薄膜，其中的Ir与Mn的原子比在膜的厚度方向上是变化的。该IrMn合金薄膜，采用独立的Ir和Mn靶材，通过共溅射制备，并在溅射过程中改变Mn靶溅射功率从而改变IrMn合金薄膜的组分。本发明公开的隧道磁电阻传感器及其使用的IrMn合金薄膜，其中Ir和Mn的组分沿着薄膜厚度的方向改变，显著提高了TMR率，具有优越的性能，降低了所需IrMn合金靶材的成本。