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一种离子注入沟道效应抑制方法
申请人信息
- 申请人:深圳基本半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
- 发明人: 深圳基本半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种离子注入沟道效应抑制方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311678319.5 |
| 申请日 | 2023/12/8 |
| 公告号 | CN117371258A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | G06F30/20 |
| 权利人 | 深圳基本半导体有限公司 |
| 发明人 | 张帅; 和巍巍; 张良关 |
| 地址 | 广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201 |
摘要文本
深圳基本半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请公开了一种离子注入沟道效应抑制方法，所述方法包括确定屏蔽层厚度，仿真获得形成所述屏蔽层的氧化仿真参数；对确定厚度的所述屏蔽层进行离子注入仿真，获得离子注入的注入仿真参数；以所述氧化仿真参数和所述注入仿真参数为依据，进行实际流片；还包括选取外延片，以所述氧化仿真参数和所述注入仿真参数为依据，在所述外延片上热氧化形成所述确定厚度的屏蔽层，并在形成有所述屏蔽层的外延片上进行离子注入；在已完成离子注入的外延层上形成碳保护膜，完成激活退火后去除所述外延层上覆盖的碳保护膜，本申请通过设置屏蔽氧化层将注入的离子在进入SiC晶片前的运动方向变为无序化，有效抑制了SiC晶片离子注入过程中的沟道效应。
专利主权项内容
1.一种离子注入沟道效应抑制方法，其特征在于，包括以下步骤：确定屏蔽层厚度，仿真获得形成所述屏蔽层的氧化仿真参数；对确定厚度的所述屏蔽层进行离子注入仿真，获得离子注入的注入仿真参数；以所述氧化仿真参数和所述注入仿真参数为依据，进行实际流片。