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一种光纤阵列与硅光芯片共封装的光电基板及其制作方法

申请号: CN202311244256.2
申请人: 深圳技术大学
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种光纤阵列与硅光芯片共封装的光电基板及其制作方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311244256.2
申请日 2023/9/26
公告号 CN117348178A
公开日 2024/1/5
IPC主分类号 G02B6/42
权利人 深圳技术大学
发明人 郭伦春; 李惠; 冯健
地址 广东省深圳市坪山区兰田路3002号

摘要文本

深圳技术大学取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种硅光芯片和光纤阵列耦合的光电基板及其制备方法,属于集成电路与光电子共封装领域, 其先利用离子交换工艺在玻璃基板上表面形成离子交换波导,然后在离子交换波导下方的玻璃基板上通过激光直写工艺加工出激光直写波导,离子交换波导一端与硅光芯片波导进行倏逝场耦合,另一端与激光直写波导一端进行耦合,激光直写波导另一端向外延伸至玻璃基板侧面可与光纤阵列进行耦合,可以避开激光难以在玻璃表面直写波导的问题,将硅光芯片高密度的一维光学I/O口扇出到玻璃基板的端面,形成二维波导阵列,进而方便与光纤阵列进行耦合。

专利主权项内容

1.一种光纤阵列与硅光电芯片共封装的光电基板,其特征在于,包括玻璃基板,凹坑、第一通孔、金属电极、金属线路层、金属连接柱、离子交换波导和激光直写波导,在玻璃基板上表面开设一凹坑,凹坑下的玻璃基板上设有多个上下连通的第一通孔,在第一通孔内填充金属连接柱,金属电极处于金属连接柱上方且与金属连接柱上端相连,硅光电芯片置于凹坑上方,第一通孔上的金属电极用于与硅光电芯片的电极对接,金属线路层处于玻璃基板下表面,金属线路层与金属连接柱下端相连,在凹坑外侧的玻璃基板上设有多个离子交换波导,激光直写波导置于离子交换波导下方的玻璃基板内,激光直写波导包括相连接的耦合部和引出部,耦合部与离子交换波导平行且处于离子交换波导下1~20微米,引出部一端与耦合部连接,另一端向外延伸至玻璃基板侧面,多个激光直写波导引出部与玻璃基体侧面相接的引出端呈多排排布且相邻两排的高度不同, 引出端形成二维波导阵列,离子交换波导与硅光芯片波导对接,二维波导阵列与光纤阵列连接。