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一种碳化硅通孔结构及其制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳基本半导体有限公司
- 申请人地址:518122 广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201
- 发明人: 深圳基本半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅通孔结构及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311824578.4 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117476582A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L23/48 |
| 权利人 | 深圳基本半导体有限公司 |
| 发明人 | 温正欣; 韩晓宁; 田丽欣; 张学强 |
| 地址 | 广东省深圳市坪山区坑梓街道办事处秀新社区锦绣中路14号深福保现代光学厂区B栋201 |
摘要文本
深圳基本半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提供了一种碳化硅通孔结构，包括依次层叠设置的阻挡层、浸润层、种子层、填充层和抗反射层；所述阻挡层包括第一Ti层和第一TiN层；所述浸润层的材质为Ti；所述种子层的材质为Al；所述填充层包括Cu和Al；其中，所述Cu的含量为0.1‑1.0%；所述抗反射层包括第二Ti层和第二TiN层。通过设置材质为Ti的浸润层和第二Ti层，将Al材质的种子层与填充层夹在中间，从而生成TiAl3，减少了Al原子沿电流方向的定向迁移，增加了机械稳定性，解决了碳化硅通孔在填充时易产生缺陷的问题。
专利主权项内容
1.一种碳化硅通孔结构，其特征在于，包括依次层叠设置的阻挡层、浸润层、种子层、填充层和抗反射层；所述阻挡层包括第一Ti层和第一TiN层；所述浸润层的材质为Ti；所述种子层的材质为Al；所述填充层包括Cu和Al；其中，所述Cu的含量为0.1-1.0%；所述抗反射层包括第二Ti层和第二TiN层。