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一种基于飞秒激光直写技术制备铌酸锂晶体表面导电微结构的方法
申请人信息
- 申请人:深圳技术大学
- 申请人地址:518118 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号
- 发明人: 深圳技术大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于飞秒激光直写技术制备铌酸锂晶体表面导电微结构的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311446849.7 |
| 申请日 | 2023/11/2 |
| 公告号 | CN117444381A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | B23K26/00 |
| 权利人 | 深圳技术大学 |
| 发明人 | 吕金蔓; 李戈; 段雨濛 |
| 地址 | 广东省深圳市坪山区石井街道兰田路3002号 |
摘要文本
深圳技术大学取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种基于飞秒激光直写技术制备铌酸锂晶体表面导电微结构的方法，其将飞秒激光通过显微物镜聚焦于铌酸锂晶体表面，在飞秒激光能量的作用下扫描过的铌酸锂表面的晶格结构飞溅留下作用痕迹，痕迹处的电导率提高了五个数量级，其导电性达半导体级别，即为导电微结构。过程中通过控制飞秒激光的能量控制作用痕迹处的电导率。其仅仅通过简单的飞秒激光直写工艺即可在铌酸锂晶体表面诱导出稳定的导电结构，将绝缘性材料改性为半导体材料，电导率改变量约为5个数量级，实现电学性质的跨越。
专利主权项内容
1.一种基于飞秒激光直写技术制备铌酸锂晶体表面导电微结构的方法，其特征在于，将飞秒激光通过显微物镜聚焦于铌酸锂晶体表面，在飞秒激光能量的作用下扫描过的铌酸锂表面的晶格结构飞溅留下作用痕迹，痕迹处的电导率提高了五个数量级，其导电性达半导体级别，即为导电微结构。过程中通过控制飞秒激光的能量控制作用痕迹处的电导率。