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高压放电管及其制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳市槟城电子股份有限公司; 安徽大鹏半导体有限公司
- 申请人地址:518108 广东省深圳市宝安区石岩街道罗租社区海谷科技大厦T4栋4-401
- 发明人: 深圳市槟城电子股份有限公司; 安徽大鹏半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 高压放电管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311826395.6 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117476641A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L27/02 |
| 权利人 | 深圳市槟城电子股份有限公司; 安徽大鹏半导体有限公司 |
| 发明人 | 王跃; 张常军; 吴中瑞 |
| 地址 | 广东省深圳市宝安区石岩街道罗租社区海谷科技大厦T4栋4-401; |
摘要文本
深圳市槟城电子股份有限公司; 安徽大鹏半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种高压放电管及其制备方法，高压放电管包括：N型衬底，N型衬底的两侧均设置有P型结构；P型结构包括：短基区和硼环；硼环设置于N型衬底和短基区之间；硼环中的硼离子浓度小于短基区中硼离子的浓度。硼环环绕N型衬底的四周设置，在后续在N型衬底的边缘形成沟槽时，因与沟槽接触的硼环中的硼离子的浓度相较于现有技术中与沟槽接触的短基区的浓度小，使得硼环发生击穿时对应的电压更高。通过形成高压硼环，避免由于沟槽污染以及钝化缺陷导致的表面击穿，并且提升产品的耐压和可靠性应。
专利主权项内容
1.一种高压放电管，其特征在于，包括：N型衬底，N型衬底的两侧均设置有P型结构；所述P型结构包括：短基区和硼环；所述硼环设置于所述N型衬底和所述短基区之间；所述硼环中的硼离子浓度小于所述短基区中硼离子的浓度。