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一种用于半导体芯片产品的激光雕刻装置及控制方法

申请号: CN202311818715.3
申请人: 联合富士半导体有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种用于半导体芯片产品的激光雕刻装置及控制方法
专利类型 发明授权
申请号 CN202311818715.3
申请日 2023/12/27
公告号 CN117476509B
公开日 2024/3/19
IPC主分类号 H01L21/67
权利人 联合富士半导体有限公司
发明人 北村明夫; 藤村顺二
地址 广东省深圳市宝安区福海街道塘尾社区富士电机厂区厂房三401

摘要文本

联合富士半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明涉及一种用于半导体芯片产品的激光雕刻装置及控制方法,属于激光雕刻技术领域,本发明通过基于定位信息获取半导体芯片产品的待雕刻区域,最后通过对半导体芯片产品的雕刻区域进行监测,获取异常的雕刻区域,并根据异常的雕刻区域生成相关的控制参数。本发明通过融合奇异值分解算法,从而来对多方向的图像数据进行特征重建,从而降低由于摄像结构摄像时所带来的冗余范围,提高对待雕刻的半导体产品的定位,从而提高激光雕刻装置的加工控制精度。本发明融合了循环空间注意力机制、深度神经网络以及特征金字塔网络,能够抑制多尺度的特征信息所带来的干扰,从而来提高对待雕刻的半导体产品的跟踪精度,提高激光雕刻装置的加工控制精度。

专利主权项内容

1.一种用于半导体芯片产品的激光雕刻装置的控制方法,其特征在于,包括以下步骤:获取半导体芯片产品在装夹后的多方向图像数据信息,并通过对所述半导体芯片产品在装夹后的多方向图像数据信息进行预处理,生成相关的图像特征矩阵;引入奇异值分解算法,通过所述奇异值分解算法对所述相关的图像特征矩阵进行重建,并获取重建后的特征矩阵;根据所述重建后的特征矩阵对半导体芯片产品在装夹后的位置进行定位,获取定位信息,并基于所述定位信息获取半导体芯片产品的待雕刻区域;通过对所述半导体芯片产品的雕刻区域进行监测,获取异常的雕刻区域,并根据所述异常的雕刻区域生成相关的控制参数;引入奇异值分解算法,通过所述奇异值分解算法对所述相关的图像特征矩阵进行重建,并获取重建后的特征矩阵,具体包括:引入奇异值分解算法,并通过所述奇异值分解算法对所述相关的图像特征矩阵进行降维处理,生成若干特征向量,并基于所述特征向量生成由特征向量按列组成的特征矩阵;获取所述由特征向量按列组成的特征矩阵中每个方向上的最大特征向量,构建新的坐标系,并以所述每个方向上的最大特征向量作为基准点,基于所述基准点构建新的三维空间;基于所述坐标系,将所述由特征向量按列组成的特征矩阵中的特征向量依次输入到所述新的三维空间中进行重建,获取处理后的特征矩阵;将所述处理后的特征矩阵中的每个特征向量重新映射到世界坐标系中,生成重建后的特征矩阵;根据所述重建后的特征矩阵对半导体芯片产品在装夹后的位置进行定位,获取定位信息,并基于所述定位信息获取半导体芯片产品的待雕刻区域,具体包括以下步骤:获取半导体芯片产品的图纸信息,并根据所述半导体芯片产品的图纸信息构建半导体产品的三维模型,通过特征金字塔网络获取半导体产品的三维模型的模型特征;基于深度神经网络构建特征识别模型,并根据所述模型特征构建第一图节点,基于所述半导体产品的三维模型构建第二图节点,通过无向边描述,将所述第一图节点以及第二图节点进行连接,生成拓扑结构图;在卷积层中融合循环空间注意力机制,通过所述循环空间注意力机制计算所述第一图节点的注意力特征图,并对所述注意力特征图中的每个图节点进行SoftMax操作,生成具有空间注意力的特征图,对所述具有空间注意力的特征图以及所述第一图节点进行内积运算,得到最终的注意力特征图;将所述最终的注意力特征图输入到所述特征识别模型中,更新隐含层的状态,输出特征识别模型,将所述重建后的特征矩阵输入到所述特征识别模型中,对半导体芯片产品在装夹后的位置进行跟踪定位,获取定位信息,基于所述定位信息获取半导体芯片产品的待雕刻区域。