一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件及其制备方法

专利主权项内容

1.一种π型沟槽栅碳化硅MOSFET器件的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下的步骤：第一步，在第一导电型重掺杂碳化硅衬底上生长第一导电型轻掺杂外延层；第二步，在第一导电型轻掺杂外延层上表面通过高能离子注入的方式形成第二导电型重掺杂深阱区；第三步，在外延层上表面通过选择性离子注入的方式形成第二导电型阱区、第二导电型重掺杂接触区和第一导电型重掺杂源极区，并进行高温退火激活杂质，退火过程前需要使用碳膜覆盖碳化硅表面以防止杂质外扩以及表面碳化硅原子发生迁移；第四步，通过干法刻蚀在第二导电型重掺杂深阱区中刻蚀相隔的第一沟槽和第二沟槽；第五步，通过干氧氧化生长栅氧化层，并进行氧化层退火；第六步，淀积导电介质层并进行光刻和刻蚀；第七步，淀积层间介质层并进行光刻和刻蚀；第八步，在正面淀积欧姆接触金属，选择性去除接触孔以外位置的金属，进行欧姆接触金属退火，在正面淀积厚金属，进行光刻和刻蚀，接着，钝化层淀积，光刻和刻蚀，再进行背面减薄，背面金属淀积和退火。