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一种太空环境卫星中嵌入式存储芯片的抗辐射化处理方法
申请人信息
- 申请人:深圳市安信达存储技术有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市宝安区新桥街道黄埔社区洪田路155号创新智慧港1栋1005
- 发明人: 深圳市安信达存储技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种太空环境卫星中嵌入式存储芯片的抗辐射化处理方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311854449.X |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117757341A |
| 公开日 | 2024/3/26 |
| IPC主分类号 | C09D171/00 |
| 权利人 | 深圳市安信达存储技术有限公司 |
| 发明人 | 李修录; 尹善腾; 朱小聪 |
| 地址 | 广东省深圳市宝安区新桥街道黄埔社区洪田路155号创新智慧港1栋1005 |
摘要文本
深圳市安信达存储技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及一种太空环境卫星中嵌入式存储芯片的抗辐射化处理方法，属于芯片的抗辐射处理技术领域。所述方法包括：配备抗辐射涂层的原料，所述抗辐射涂层包括以下原料：硫酸钡、粘结树脂、锐型钦白粉、固化剂；将硫酸钡、粘结树脂和锐型钦白粉混合研磨得粉末料，向粉末料中加入固化剂后，经喷涂于所述表面处理所得的芯片表面，固化，得抗辐射涂层；所述粘结树脂由双环氧基封端的硅氧烷与三元醇在碱性条件下经超支化反应形成。本粉末采用抗辐射涂敷，在嵌入式存储芯片表面形成一层超薄抗辐射涂层，即实现了存储芯片的抗腐射性能增强，又未影响到存储芯片的电学性能。
专利主权项内容
1.一种太空环境卫星中嵌入式存储芯片的抗辐射化处理方法，其特征在于，包括：配备抗辐射涂层的原料，所述抗辐射涂层包括以下重量百分比的原料：35-55％硫酸钡、20-45％粘结树脂、15-25％锐型钦白粉、0.4-1.5％固化剂；将硫酸钡、粘结树脂和锐型钦白粉混合研磨得粉末料，向粉末料中加入固化剂后，经喷涂于所述表面处理所得的芯片表面，固化，得抗辐射涂层；所述粘结树脂由双环氧基封端的硅氧烷与三元醇在碱性条件下经超支化反应形成；所述双环氧基封端的硅氧烷的分子结构式如下所示：所述三元醇的分子结构式如下所示：