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一种顶层设置抑制杂波单元的TC-SAW谐振结构
申请人信息
- 申请人:深圳新声半导体有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801
- 发明人: 深圳新声半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种顶层设置抑制杂波单元的TC-SAW谐振结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311854016.4 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117559952A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | H03H9/25 |
| 权利人 | 深圳新声半导体有限公司 |
| 发明人 | 黄磊; 唐供宾; 邹洁 |
| 地址 | 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801 |
摘要文本
深圳新声半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种顶层设置抑制杂波单元的TC‑SAW谐振结构，包括：衬底；叉指换能器，所述叉指换能器设置在衬底上，所述叉指换能器包括第一叉指换能器和第二叉指换能器；所述第一叉指换能器包括第一汇流排和连接至第一汇流排的各第一电极指，所述第二叉指换能器包括第二汇流排和连接至第二汇流排的各第二电极指；温度补偿层，所述温度补偿层覆盖在各第一电极指和各第二电极指的表面；抑制杂波单元，所述抑制杂波单元为设置在温度补偿层上方的金属结构，所述抑制杂波单元在第一方向上形成连续周期的两个对称分布的余弦波形。本发明的一种顶层设置抑制杂波单元的TC‑SAW谐振结构，通过设置余弦结构的抑制杂波单元，提高了滤波器抑制杂波的效果。 数据由马 克 团 队整理
专利主权项内容
1.一种顶层设置抑制杂波单元的 TC-SAW 谐振结构，包括：衬底；叉指换能器，所述叉指换能器设置在衬底上，所述叉指换能器包括第一叉指换能器和第二叉指换能器；所述第一叉指换能器包括第一汇流排和连接至第一汇流排的各第一电极指，所述第二叉指换能器包括第二汇流排和连接至第二汇流排的各第二电极指；温度补偿层，所述温度补偿层覆盖在各第一电极指和各第二电极指的表面；其特征在于：还包括抑制杂波单元，所述抑制杂波单元为设置在温度补偿层上方的金属结构，所述抑制杂波单元在第一方向上形成连续周期的两个对称分布的余弦波形，第一方向平行于所述衬底所在平面且垂直于第一电极指；所述第一电极指和第二电极指沿对称轴A对称分布，余弦波形的顶点B位于对称轴A上，顶点B位于第一电极指或第二电极指的端部。