GaN HEMT器件预处理方法
申请人信息
- 申请人:深圳智芯微电子科技有限公司
- 申请人地址:518017 广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路与槟榔道交汇处西北深九科技创业园6号楼C901
- 发明人: 深圳智芯微电子科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | GaN HEMT器件预处理方法 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311417709.7 |
| 申请日 | 2023/10/26 |
| 公告号 | CN117155359B |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | H03K17/14 |
| 权利人 | 深圳智芯微电子科技有限公司 |
| 发明人 | 郑贵方; 庞振江; 洪海敏; 周芝梅; 温雷; 卜小松 |
| 地址 | 广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路与槟榔道交汇处西北深九科技创业园6号楼C901 |
摘要文本
深圳智芯微电子科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种GaN HEMT器件预处理方法，包括：根据GaN HEMT器件的漏极与源极间的额定电压确定GaN HEMT器件的预处理电压；将GaN HEMT器件的源极与栅极之间短路，在GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加预处理电压；当GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加预处理电压的时长达到预处理时长时，去除漏极与源极间的预处理电压及源极与栅极间的短路。本发明公开的技术方案，通过为GaN HEMT器件施加高电压预处理来改善GaN HEMT器件的表面态缺陷，降低开启时的载子捕获概率，从而降低GaN HEMT器件的动态导通电阻，以优化GaN HEMT器件的动态性能和可靠性。
专利主权项内容
1.一种GaN HEMT器件预处理方法，其特征在于，GaN HEMT器件包括GaN HEMT和SiMOSFET，所述GaN HEMT的源极与所述Si MOSFET的漏极相连，所述GaN HEMT的栅极与所述SiMOSFET的源极相连，所述GaN HEMT的漏极为所述GaN HEMT器件的漏极，所述GaN HEMT的栅极与所述Si MOSFET的源极为所述GaN HEMT器件的源极，所述Si MOSFET的栅极为所述GaNHEMT器件的栅极，所述GaN HEMT器件预处理方法包括：根据所述GaN HEMT器件的漏极与源极间的额定电压确定所述GaN HEMT器件的预处理电压；所述预处理电压小于或等于所述GaN HEMT器件的漏极与源极间的额定电压；将所述GaN HEMT器件的源极与栅极之间短路，并在所述GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加预处理电压，且将所述GaN HEMT器件置于预设恒定温度的环境中，以降低所述GaNHEMT器件的电子捕获概率；当所述GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加所述预处理电压的时长达到预处理时长时，去除所述GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加的所述预处理电压，并断开所述GaNHEMT器件的源极与栅极之间的短路；所述预处理时长的确定过程包括：预先设定多个待选时长，并预先设定所述GaN HEMT器件的测试条件；所述测试条件包括所述GaN HEMT器件的栅极与源极之间施加的第一测试电压、所述GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加的测试电流及所述GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加的第二测试电压；每当所述GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加所述预处理电压的时长达到一个所述待选时长时，则为所述GaN HEMT器件配置设定的所述测试条件，以测量得到所述GaN HEMT器件的动态导通电阻与静态导通电阻的比例系数；根据所述比例系数确定所述预处理时长。。（来 自 马 克 数 据 网）