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一种IHP SAW滤波器及射频前端

申请号: CN202311656820.1
申请人: 深圳新声半导体有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种IHP SAW滤波器及射频前端
专利类型 发明申请
申请号 CN202311656820.1
申请日 2023/12/6
公告号 CN117353702A
公开日 2024/1/5
IPC主分类号 H03H9/64
权利人 深圳新声半导体有限公司
发明人 王博; 唐供宾; 邹洁
地址 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801

摘要文本

深圳新声半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供了一种IHP SAW滤波器及射频前端,涉及声表面波器件领域,包括:由上至下依次设置叉指电极层、压电薄膜、介质层以及衬底载体;所述叉指电极层上设有叉指电极和至少一个假指;所述叉指电极包括多个指条,每一假指与一指条相对设置;相对设置的假指与指条之间具有凹槽;所述凹槽的底面与所述压电薄膜层上表面间的距离,不小于所述压电薄膜的二分之一厚度,并且,所述底面位于所述介质层的下表面之上;所述凹槽构成相对设置的假指与指条之间的间隙;声波在所述间隙内的声速,小于激励区域内的声速;所述激励区域为指条交叉的区域。本发明能够有效抑制IHP SAW的横向模式,提升滤波器的整体性能。

专利主权项内容

1.一种IHP SAW滤波器,其特征在于,包括:由上至下依次设置叉指电极层、压电薄膜、介质层以及衬底载体;所述叉指电极层上设有叉指电极和至少一个假指;所述叉指电极包括多个指条,每一假指与一指条相对设置;相对设置的假指与指条之间具有凹槽;所述凹槽的底面与所述压电薄膜层上表面间的距离,不小于所述压电薄膜的二分之一厚度,并且,所述底面位于所述介质层的下表面之上;所述凹槽构成相对设置的假指与指条之间的间隙;声波在所述间隙内的声速,小于激励区域内的声速;所述激励区域为指条交叉的区域。