一种电池石墨负极材料连续包覆造粒制备方法及装置
摘要文本
深圳禹龙智能装备有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明公开了一种电池石墨负极材料连续包覆造粒制备方法及装置,包括根据生产要素表格,获得石墨粉末和粘合剂的初始质量配比,并优化的质量配比,加入石墨粉末和粘合剂混合制备成石墨浆糊,由造粒设备进行剪碎处理,形成均匀的颗粒;采用红外模块对颗粒进行加热,并实时检测颗粒的温度分布与动态变化调整红外模块的功率;对加热的颗粒进行包覆处理再冷却,获得成品。通过对初始质量配比进行优化,能够对环境变化或原料质量波动进行响应,并且通过红外模块实现颗粒的加热过程中的加工参数的动态调整,实现反馈调节作用,提高了产品的性能、质量和一致性,可以得到具有较高粒径均匀度的石墨负极材料,提升电池性能。
专利主权项内容
1.一种电池石墨负极材料连续包覆造粒制备方法,其特征在于,包括:根据生产要素表格,获得石墨粉末和粘合剂的初始质量配比,并采用智能识别系统自适应调整所述初始质量配比,获得优化的质量配比;根据所述优化的质量配比加入所述石墨粉末和粘合剂,以混合制备成石墨浆糊;将混合好的石墨浆糊由造粒设备进行剪碎处理,形成均匀的颗粒;采用红外模块对颗粒进行加热,并实时检测颗粒的温度分布与动态变化,生成检测结果,根据所述检测结果实时调整所述红外模块的功率;采用电子束烧结炉对加热的颗粒进行包覆处理获得半成品,对半成品进行冷却,获得成品;所述根据所述优化的质量配比加入所述石墨粉末和粘合剂,以混合制备成石墨浆糊;具体包括:所述智能识别系统根据所述优化的质量配比,称取对应重量的石墨粉末和粘合剂;在预设的混合设备中加入第一质量的石墨粉末,对石墨粉末进行搅匀处理;在所述混合设备中加入第二质量的粘合剂,对石墨粉末和粘合剂进行二次搅匀处理;启动混合设备,对搅匀的石墨粉末和粘合剂进行充分混合;通过充分混合,石墨粉末和粘合剂以形成均质的石墨浆糊;所述将混合好的石墨浆糊由造粒设备进行剪碎处理,形成均匀的颗粒;具体包括:取用造粒设备;所述造粒设备包括超声波与磁力驱动模块;将混合好的石墨浆糊输送进造粒设备;启动造粒设备,通过所述超声波与磁力驱动模块对石墨浆糊进行剪碎工作,形成初步颗粒;剪碎工作过程中,通过对所述初步颗粒进行成像以获得初步颗粒的大小和均匀度信息;根据所述初步颗粒的大小和均匀度信息控制所述造粒设备进入二次剪碎模式,以将初步颗粒进一步剪碎,以形成均匀的颗粒;剪碎处理完成后,从造粒设备取出均匀的颗粒至预设工位;所述采用红外模块对颗粒进行加热,并实时检测颗粒的温度分布与动态变化,生成检测结果,根据所述检测结果实时调整所述红外模块的功率;具体包括:根据所述生产要素表格设定红外模块的初始温度和功率;对均质的石墨浆糊进行加热,加热过程中实时检测石墨颗粒的温度分布和动态变化;根据实时检测的数据,以生成温度检测结果;利用热成像技术以实现对温度的持续监控;分析所述温度检测结果,所述智能识别系统以预测出所述石墨颗粒的直径大小,从而判断出石墨颗粒的品质;根据石墨颗粒的品质,所述智能识别系统控制所述红外模块的功率;所述采用电子束烧结炉对加热的颗粒进行包覆处理获得半成品,对半成品进行冷却,获得成品;具体包括:将经过红外模块加热的颗粒投入电子束烧结炉;启动电子束,使其打在颗粒表面,瞬间加热颗粒使其表面部分熔化,从而形成连续均匀的包覆层;完成电子束包覆后,以得到半成品的石墨负极颗粒;将半成品的石墨负极颗粒转入冷却设备,使得半成品的温度下降至预设值;在半成品颗粒冷却完成后形成成品,将成品通过输送设备送入收集器;所述获得成品之后还包括:通过所述智能识别系统和激光模块对所述成品进行智能识别与筛分,获得预设尺寸的成品;所述通过所述智能识别系统和激光模块对所述成品进行智能识别与筛分,获得预设尺寸的成品;具体包括:将冷却完成的成品引入所述智能识别系统;所述智能识别系统包括激光模块、识别软件模块和筛选模块;所述智能识别系统通过所述激光模块对成品进行扫描和识别,获得第一数据;所述识别软件模块对从激光模块获得的第一数据进行分析;根据数据分析的结果,筛选模块对成品进行筛分,所述筛分过程包括将不符合标准的成品分离出去和将符合标准的成品收集;对收集的成品进行质量检测,所述质量检测包括表面平整度检测、表面质量检测。
专利申请信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种电池石墨负极材料连续包覆造粒制备方法及装置 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311671508.X |
| 申请日 | 2023/12/7 |
| 公告号 | CN117398899B |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | B01F33/83 |
| 权利人 | 深圳禹龙智能装备有限公司 |
| 发明人 | 徒雨龙 |
| 地址 | 广东省深圳市龙华区观澜街道新澜社区观光路1301-76号银星智界二期1号楼B502 |