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一种低导通电阻的车规级MOS管及其制备方法

申请号: CN202311678748.2
申请人: 深圳辰达半导体有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种低导通电阻的车规级MOS管及其制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311678748.2
申请日 2023/12/8
公告号 CN117374026A
公开日 2024/1/9
IPC主分类号 H01L23/367
权利人 深圳辰达半导体有限公司
发明人 马奕勉; 陈光品
地址 广东省深圳市龙华区民治街道北站社区鸿荣源北站中心B塔1303

摘要文本

深圳辰达半导体有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供了一种低导通电阻的车规级MOS管及其制备方法,涉及电子技术领域,MOS管包括安装壳,安装壳内设置芯片,安装壳内填充导热材料,安装壳一侧外壁设置引脚,引脚与芯片连接,安装壳底部设置散热板,安装壳前后侧壁设置第一散热组件,第一散热组件包括若干第一散热片,若干第一散热片沿安装壳侧壁长度方向等间隔设置,安装壳上表面设置第二散热组件,第二散热组件包括若干第二散热片,若干第二散热片沿安装壳上表面等间隔设置。本发明中,通过设置第一散热组件、第二散热组件及散热板,使得安装壳的四个外壁均能散热,第一散热片与第二散热片增大了散热面积,提高了散热效率,降低了MOS管温度,延长了MOS管的使用寿命。

专利主权项内容

1.一种低导通电阻的车规级MOS管,其特征在于,包括:安装壳(1),安装壳(1)内设置芯片(2),安装壳(1)内填充导热材料,安装壳(1)一侧外壁设置引脚(3),引脚(3)与芯片(2)连接,安装壳(1)底部设置散热板(4),安装壳(1)前后侧壁设置第一散热组件,第一散热组件包括若干第一散热片(5),若干第一散热片(5)沿安装壳(1)侧壁长度方向等间隔设置,安装壳(1)上表面设置第二散热组件,第二散热组件包括若干第二散热片(6),第二散热片(6)与第一散热片(5)相互垂直,若干第二散热片(6)沿安装壳(1)上表面等间隔设置。。来自马克数据网