← 返回列表

籽晶托及其制备方法、晶体生长装置、晶体生长方法

申请号: CN202311547649.0
申请人: 深圳平湖实验室
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 籽晶托及其制备方法、晶体生长装置、晶体生长方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311547649.0
申请日 2023/11/15
公告号 CN117587501A
公开日 2024/2/23
IPC主分类号 C30B23/00
权利人 深圳平湖实验室
发明人 邹兴; 万玉喜; 胡浩林; 曾威; 王晓萍
地址 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋

摘要文本

深圳平湖实验室取得“一种透气窗帘布”专利技术,本公开提供了一种籽晶托及其制备方法、晶体生长装置、晶体生长方法,涉及半导体芯片技术领域,旨在降低碳化硅单晶材料中的位错密度。所述籽晶托包括籽晶托主体和多个填充部。籽晶托主体的第一表面开设有多个凹槽,多个凹槽间隔设置,第一表面用于设置籽晶。多个填充部对应设置于多个凹槽内。其中,填充部的材料包括第一材料,籽晶托主体的材料包括第二材料,第一材料的导热系数与第二材料的导热系数不相同。上述籽晶托应用于晶体生长装置中,以实现晶体的生长。

专利主权项内容

1.一种籽晶托,其特征在于,包括:籽晶托主体,所述籽晶托主体的第一表面开设有多个凹槽,所述多个凹槽间隔设置,所述第一表面用于设置籽晶;多个填充部,对应设置于所述多个凹槽内;其中,所述填充部的材料包括第一材料,所述籽晶托主体的材料包括第二材料,所述第一材料的导热系数与所述第二材料的导热系数不相同。。来自马克数据网