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一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法
申请人信息
- 申请人:深圳芯能半导体技术有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301
- 发明人: 深圳芯能半导体技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311611439.3 |
| 申请日 | 2023/11/27 |
| 公告号 | CN117650179A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 发明人 | 马献; 刘杰 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301 |
摘要文本
深圳芯能半导体技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种屏蔽栅场效应晶体管及制备方法，属于半导体技术领域，该屏蔽栅场效应晶体管包括：衬底层；外延层；体区；第一沟槽；源区；第二沟槽；肖特基接触势垒金属。本发明通过在屏蔽栅场效应晶体管中集成肖特基势垒二极管，即在屏蔽栅场效应晶体管旁边设置若干个第二沟槽，各个第二沟槽中设置有栅极结构，在屏蔽栅场效应晶体管通电工作时，将肖特基接触势垒金属、栅极结构和分布于栅极结构周围的第一导电类型的外延层之间进行短接形成MOS结构屏蔽电场，降低了肖特基二极管的反向漏电流，从而有效降低了续流二极管的导通电压，进而降低了导通损耗。
专利主权项内容
1.一种屏蔽栅场效应晶体管，其特征在于，包括：第一导电类型的衬底层；第一导电类型的外延层，所述外延层位于所述衬底层上；第二导电类型的体区，所述体区位于所述外延层上的第一区域上；若干个第一沟槽，各个所述第一沟槽沿深度方向贯穿所述体区，并延伸至所述外延层上的第一区域内，各个所述第一沟槽中设置有屏蔽栅结构和控制栅结构，所述控制栅结构位于所述屏蔽栅结构的上方；第一导电类型的源区，所述源区位于所述体区上；若干个第二沟槽，各个所述第二沟槽沿深度方向延伸至所述外延层上的第二区域内，各个所述第二沟槽中设置有栅极结构；肖特基接触势垒金属，所述肖特基接触势垒金属位于所述外延层上的第二区域以及各个所述栅极结构上。。来源：马 克 团 队