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基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法

申请号: CN202311430508.0
申请人: 深圳左文科技有限责任公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311430508.0
申请日 2023/10/31
公告号 CN117448952A
公开日 2024/1/26
IPC主分类号 C30B25/00
权利人 深圳左文科技有限责任公司
发明人 廖佳; 李再强; 王海明
地址 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙三路4号欧帝光学有限公司D栋厂房102

摘要文本

深圳左文科技有限责任公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供一种基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法,属于金刚石生长领域。包括有以下步骤:S1:选用合适的金刚石晶种,并将金刚石晶种清洗干净;S2:对金刚石的四边进行镀膜处理;S3:将晶种放入MPCVD腔体,进行金刚石毛坯生长;S4:对生长结束的毛坯进行处理,去除边缘的多晶和石墨,成为金刚石单晶。本发明的有益效果在于,与现有技术相比:本发明通过在晶种的进行镀膜处理,金刚石晶种的边缘不再是金刚石,不具有金刚石的晶格和原子,当金刚石原子落到膜的上表面,只会形成多晶金刚石或者石墨,避免晶种沿着边缘进行水平的单晶生长,进而避免晶种水平扩张,减少金刚石晶体生长相互干涉。

专利主权项内容

1.基于边缘镀膜处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法,包括有以下步骤:S1:选用合适的金刚石晶种,并将金刚石晶种清洗干净;S2:对金刚石的四边进行镀膜处理;S3:将晶种放入MPCVD腔体,进行金刚石毛坯生长;S4:对生长结束的毛坯进行处理,去除边缘的多晶和石墨,成为金刚石单晶。