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基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法
申请人信息
- 申请人:深圳左文科技有限责任公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙三路4号欧帝光学有限公司D栋厂房102
- 发明人: 深圳左文科技有限责任公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311430507.6 |
| 申请日 | 2023/10/31 |
| 公告号 | CN117448951A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | C30B25/00 |
| 权利人 | 深圳左文科技有限责任公司 |
| 发明人 | 廖佳; 王海明; 李再强 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙三路4号欧帝光学有限公司D栋厂房102 |
摘要文本
深圳左文科技有限责任公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明提供一种基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法,属于金刚石生长领域。包括有步骤:S1:选用合适的金刚石晶种,并将金刚石晶种清洗干净;S2:对晶种的四个侧面进行机械切割,形成锯齿状边缘,锯齿的方向和方向平行,使晶种的边缘变为容易生长多晶或者石墨的区域;S3:将晶种放入MPCVD腔体,进行金刚石毛坯生长;S4:对生长结束的毛坯进行处理,去除边缘的多晶和石墨,成为金刚石单晶。本发明通过在晶种的四个侧面进行机械切割,形成锯齿状边缘,锯齿的方向和方向平行,使晶种的边缘变为容易生长多晶或者石墨的区域,形成一个阻隔区,避免晶种沿着边缘进行水平的单晶生长,进而避免晶种水平扩张,减少金刚石晶体生长相互干涉。
专利主权项内容
1.基于边缘晶向处理减少金刚石晶体生长相互干涉的方法,包括有以下步骤:S1:选用合适的金刚石晶种,并将金刚石晶种清洗干净;S2:对晶种的四个侧面进行机械切割,形成锯齿状边缘,锯齿的方向和<110>方向平行;S3:将晶种放入MPCVD腔体,进行金刚石毛坯生长;S4:对生长结束的毛坯进行处理,去除边缘的多晶和石墨,成为金刚石单晶。