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套刻对准标记的位置偏移量检测方法及半导体的加工方法
申请人信息
- 申请人:深圳市昇维旭技术有限公司
- 申请人地址:518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104
- 发明人: 深圳市昇维旭技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 套刻对准标记的位置偏移量检测方法及半导体的加工方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311627041.9 |
| 申请日 | 2023/11/29 |
| 公告号 | CN117406563A |
| 公开日 | 2024/1/16 |
| IPC主分类号 | G03F7/20 |
| 权利人 | 深圳市昇维旭技术有限公司 |
| 发明人 | 杨皓宇; 白金宝 |
| 地址 | 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104 |
摘要文本
深圳市昇维旭技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,来源:百度搜索专利查询网 本申请属于半导体技术领域,揭示一种套刻对准标记的位置偏移量检测方法、装置、电子设备、存储介质以及半导体的加工方法,该方案在对晶圆前层光刻完成后,获取晶圆的翘曲信息,并基于晶圆的翘曲信息计算目标套刻对准标记的位置偏移量,实现了精准定位目标套刻对准标记的位置信息。后续制程中可以利用该位置偏移量,具体可以是在对晶圆当层进行光刻处理时基于位置偏移量对晶圆当层的套刻对准标记位置进行补偿,从而降低套刻误差。并且,本申请无需改变原有的光刻工艺流程,没有物料的增加及改变。
专利主权项内容
1.一种套刻对准标记的位置偏移量检测方法,其特征在于,包括:在对晶圆前层光刻完成后,获取所述晶圆的翘曲信息;基于所述晶圆的翘曲信息,计算目标套刻对准标记的位置偏移量,其中,所述目标套刻对准标记为形成在所述晶圆前层的套刻对准标记或预计形成在晶圆当层的套刻对准标记;输出所述位置偏移量。