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磁阻元件及其制备方法、磁阻传感器

申请号: CN202311590257.2
申请人: 珠海多创科技有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 磁阻元件及其制备方法、磁阻传感器
专利类型 发明申请
申请号 CN202311590257.2
申请日 2023/11/24
公告号 CN117388768A
公开日 2024/1/12
IPC主分类号 G01R33/00
权利人 珠海多创科技有限公司
发明人 苏玮; 关蒙萌; 胡忠强
地址 广东省珠海市高新区唐家湾镇科技七路1号4栋5层厂房501室

摘要文本

珠海多创科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本发明涉及传感器技术领域,具体公开了一种磁阻元件及其制备方法、磁阻传感器。该磁阻元件包括串联耦合的第一元件部与第二元件部;第一元件部包含一个以上的第一单位元件;第二元件部包含一个以上的第二单位元件;第一单位元件包括具有第一闭合涡旋磁化图案的第一自由层以及具有第二闭合涡旋磁化图案的第一参考层,用于在预设磁场范围内响应于外部磁场输出线性变化的第一信号;第二单位元件包括具有第三闭合涡旋磁化图案的第二自由层以及具有第四闭合涡旋磁化图案的第二参考层,用于在预设磁场范围内响应于外部磁场输出线性变化的第二信号。该磁阻元件在磁场方向与参考层平行时具有360°方向灵敏的技术效果,能够响应外部磁场产生线性输出。

专利主权项内容

1.一种磁阻元件,其特征在于,所述磁阻元件包括:第一元件部,其包含一个以上的第一单位元件;第二元件部,其包含一个以上的第二单位元件;所述第一元件部与所述第二元件部串联耦合;所述第一单位元件,包括具有第一闭合涡旋磁化图案的第一自由层以及具有第二闭合涡旋磁化图案的第一参考层,用于在预设磁场范围内响应于外部磁场输出线性变化的第一信号;所述第二单位元件,包括具有第三闭合涡旋磁化图案的第二自由层以及具有第四闭合涡旋磁化图案的第二参考层,用于在预设磁场范围内响应于外部磁场输出线性变化的第二信号。