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芯片调试方法及相关装置

申请号: CN202311611017.6
申请人: 珠海市芯动力科技有限公司
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 芯片调试方法及相关装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202311611017.6
申请日 2023/11/29
公告号 CN117330942A
公开日 2024/1/2
IPC主分类号 G01R31/317
权利人 珠海市芯动力科技有限公司
发明人 戴林颖; 朱建斌; 李原
地址 广东省珠海市香洲区旅游路168号(梅溪商业广场B座)云溪谷数字产业园5层5-66位(集中办公区)

摘要文本

珠海市芯动力科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术,本申请提供了一种芯片调试方法及相关装置,应用于目标芯片的并行处理器,方法包括:获取标准工作电压下配置在双数据速率物理层接口模块中的参考窗口参数;通过双数据速率物理层接口模块执行读写测试,以判断目标芯片能否在第一电压波动范围内正确读写;若不能正确读写,则检测目标芯片中所有功能模块的工作电压波动范围;若检测到双数据速率物理层接口模块的工作电压波动范围为第二电压波动范围,则调整参考窗口参数,以使得目标芯片能够在第一电压波动范围内正确读写。如此,解决了已经按照原有设计生产的目标芯片无法在较大的电压波动下正确读写的问题,极大提高了已制板生产的包含目标芯片的PCB板卡的良品率。 百度搜索专利查询网

专利主权项内容

1.一种芯片调试方法,其特征在于,应用于目标芯片的并行处理器,所述目标芯片包括所述并行处理器和双数据速率物理层接口模块,所述并行处理器通过所述双数据速率物理层接口模块与目标存储器连接,所述目标芯片在目标输入电压下的工作电压波动范围为第一电压波动范围,所述方法包括:获取标准工作电压下配置在所述双数据速率物理层接口模块中的参考窗口参数,所述标准工作电压是指数值等于所述目标输入电压的所述目标芯片的工作电压,所述参考窗口参数用于指示在所述标准工作电压下所述目标芯片能够正确读写的延时窗口;在所述第一电压波动范围内通过所述双数据速率物理层接口模块执行对所述目标存储器的读写测试,以判断所述目标芯片能否在所述第一电压波动范围内正确读写;若所述目标芯片不能在所述第一电压波动范围内正确读写,则检测所述目标芯片中所有功能模块在所述目标输入电压下的工作电压波动范围;若检测到所述双数据速率物理层接口模块在所述目标输入电压下的工作电压波动范围为第二电压波动范围,则调整所述参考窗口参数,以使得所述目标芯片能够在所述第一电压波动范围内正确读写,所述第一电压波动范围包含所述第二电压波动范围。 来源:百度马 克 数据网