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沟槽栅型碳化硅功率器件、其制作方法和半导体结构
申请人信息
- 申请人:珠海格力电子元器件有限公司; 珠海格力电器股份有限公司
- 申请人地址:519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)
- 发明人: 珠海格力电子元器件有限公司; 珠海格力电器股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 沟槽栅型碳化硅功率器件、其制作方法和半导体结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311769736.0 |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117457746A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 珠海格力电子元器件有限公司; 珠海格力电器股份有限公司 |
| 发明人 | 张鹏; 冯尹 |
| 地址 | 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区); 广东省珠海市前山金鸡西路 |
摘要文本
珠海格力电子元器件有限公司; 珠海格力电器股份有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本申请提供了一种沟槽栅型碳化硅功率器件、其制作方法和半导体结构。该器件包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；沟槽栅，至少位于外延层中；第一注入区，位于沟槽栅至少一侧的外延层中，与沟槽栅的部分侧壁接触，第一注入区远离衬底的表面与外延层远离衬底的部分表面重合；第二注入区，位于沟槽栅至少一侧的外延层中，与沟槽栅的部分侧壁接触，第二注入区还与第一注入区靠近衬底的表面接触；第三注入区，位于外延层中，与沟槽栅的部分底部、沟槽栅的部分侧壁和第二注入区靠近衬底的部分表面分别接触；外延层、第一注入区和第三注入区的导电类型相同，且不同于第二注入区的掺杂离子的导电类型，第三注入区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度。
专利主权项内容
1.一种沟槽栅型碳化硅功率器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底的表面上；沟槽栅，至少位于所述外延层中；第一注入区，位于所述沟槽栅至少一侧的所述外延层中，且与所述沟槽栅的部分侧壁接触，所述第一注入区远离所述衬底的表面与所述外延层远离所述衬底的部分表面重合；第二注入区，位于所述沟槽栅至少一侧的所述外延层中，且与所述沟槽栅的部分侧壁接触，所述第二注入区还与所述第一注入区靠近所述衬底的表面接触；第三注入区，位于所述外延层中，且与所述沟槽栅的部分底部、所述沟槽栅的部分侧壁以及所述第二注入区靠近所述衬底的部分表面分别接触；其中，所述外延层的掺杂离子、所述第一注入区的掺杂离子以及所述第三注入区的掺杂离子的导电类型相同，且不同于所述第二注入区的掺杂离子的导电类型，所述第三注入区的掺杂离子的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂离子的掺杂浓度。