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氮化镓MOS管与碳化硅升压二极管结合的功率因数校正电路
申请人信息
- 申请人:广东石油化工学院; 茂名绿色化工研究院
- 申请人地址:525000 广东省茂名市茂南区官渡二路139号广东石油化工学院
- 发明人: 广东石油化工学院; 茂名绿色化工研究院
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 氮化镓MOS管与碳化硅升压二极管结合的功率因数校正电路 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311405105.0 |
| 申请日 | 2023/10/27 |
| 公告号 | CN117439400A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H02M1/42 |
| 权利人 | 广东石油化工学院; 茂名绿色化工研究院 |
| 发明人 | 蔡俊雄; 徐小玲; 刘美; 卢并裕; 陈金鹏; 任红卫; 谢曼; 叶建文; 钟清 |
| 地址 | 广东省茂名市茂南区官渡二路139号; 广东省茂名市乙烯厂厂前大道高新区办公大楼一楼 |
摘要文本
广东石油化工学院; 茂名绿色化工研究院取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种氮化镓MOS管与碳化硅升压二极管结合的功率因数校正电路，包括：桥式整流电路、功率电感L1、碳化硅升压二极管D1、氮化镓MOS管M1、功率因数控制芯片U1、输出电容C6、由电阻R3和电容C5组成的滤波电路、电阻R3构成的电流采样电路以及又电阻R5和电阻R6构成的反馈电压采样电路；本发明功率因数校正电路不仅可以提高功率因数校正(PFC)电路的效率，还可以进一步减小整体电路的体积和温升。
专利主权项内容
1.一种氮化镓MOS管与碳化硅升压二极管结合的功率因数校正电路，其特征在于，包括：桥式整流电路、功率电感L1、碳化硅升压二极管D1、氮化镓MOS管M1、功率因数控制芯片U1、电阻R3、电阻R5、电阻R6、电容C5和电容C6；所述桥式整流电路的正极输出端分别与所述电阻R3的一端、所述功率电感L1的一端相连；所述电阻R3的另一端分别与所述功率因数控制芯片U1的Iac引脚、所述电容C5的一端相连；所述电容C5的另一端接地；所述功率电感L1的另一端分别与所述氮化镓MOS管M1的漏极、所述碳化硅升压二极管D1的阳极相连；所述氮化镓MOS管M1的源极接地；所述氮化镓MOS管M1的栅极与所述功率因数控制芯片U1的GTDR引脚相连；所述碳化硅升压二极管D1的阴极分别与所述电阻R6的一端、所述电容C6的正极相连；所述电阻R6的另一端分别与所述功率因数控制芯片U1的Vsense引脚、所述电阻R5的一端相连；所述电阻R5的另一端和所述电容C6的负极均接地；所述桥式整流电路的负极输出端分别与所述电阻R4的一端、所述功率控制芯片的Mout引脚相连；所述电阻R4的另一端接地。