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一种MEMS电容式温湿度集成传感器及制备方法
申请人信息
- 申请人:南京高华科技股份有限公司
- 申请人地址:210046 江苏省南京市经济技术开发区栖霞大道66号
- 发明人: 南京高华科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种MEMS电容式温湿度集成传感器及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311692634.3 |
| 申请日 | 2023/12/11 |
| 公告号 | CN117705313A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | G01K7/34 |
| 权利人 | 南京高华科技股份有限公司 |
| 发明人 | 高磊; 蒋治国; 秦磊 |
| 地址 | 江苏省南京市经济技术开发区栖霞大道66号 |
摘要文本
本公开的实施例提供一种MEMS电容式温湿度集成传感器及制备方法,传感器包括:体硅层,设置有贯穿其厚度的下空腔;依次层叠设置于体硅层的埋氧层、器件层、第一介质层和第一电极层;温度敏感层,设置于下空腔内,且位于第一介质层和第一电极层之间;其中,上述五者对应下空腔的部分共同形成悬臂梁;结构层和金属填充层,结构层设置于第一介质层的上表面,结构层设有贯穿起厚度的上空腔,上空腔与下空腔位置对应且连通;金属填充层分别连接引线层和第一电极层;第二电极层,设置于悬臂梁上的第一电极层上方的上空腔;设置于结构层上的引线层、第二介质层和第三电极层;引线层和第二介质层位于第三电极层和结构层之间;湿度敏感层,填充于填充空间内。 专利查询网
专利主权项内容
1.一种MEMS电容式温湿度集成传感器,其特征在于,包括:体硅层,设置有贯穿其厚度的下空腔;依次层叠设置于所述体硅层的埋氧层、器件层、第一介质层和第一电极层;温度敏感层,设置于所述下空腔内,且位于所述第一介质层和所述第一电极层之间;其中,所述埋氧层、器件层、第一介质层、温度敏感层和第一电极层对应所述下空腔的部分共同形成悬臂梁;结构层和金属填充层,所述结构层设置于所述第一介质层的上表面,所述结构层设有贯穿起厚度的上空腔,所述上空腔与所述下空腔位置对应且连通;金属填充层分别连接引线层和所述第一电极层;第二电极层,设置于所述悬臂梁上的所述第一电极层上方的所述上空腔;设置于所述结构层上的引线层、第二介质层和第三电极层;所述引线层和所述第二介质层位于所述第三电极层和所述结构层之间;所述结构层、所述引线层、所述第二电极层、所述第三电极层及所述第二介质层围成填充空间;湿度敏感层,填充于所述填充空间内。