一种集成异质结二极管的MOSFET器件及制备方法
申请人信息
- 申请人:南京芯干线科技有限公司
- 申请人地址:210000 江苏省南京市江宁区菲尼克斯路70号总部基地34栋1403室(江宁开发区)
- 发明人: 南京芯干线科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种集成异质结二极管的MOSFET器件及制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311759748.5 |
| 申请日 | 2023/12/19 |
| 公告号 | CN117525116A |
| 公开日 | 2024/2/6 |
| IPC主分类号 | H01L29/06 |
| 权利人 | 南京芯干线科技有限公司 |
| 发明人 | 刘辉; 傅玥; 孔令涛 |
| 地址 | 江苏省南京市江宁区菲尼克斯路70号总部基地34栋1403室(江宁开发区) |
摘要文本
南京芯干线科技有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明涉及一种集成异质结二极管的MOSFET器件及制备方法，该器件包括自下而上依次设置的衬底层、外延层和电流分散层；还包括凸形结构，所述凸形结构位于电流分散层上端中部，其包括自下而上设置的凸起部和基部，凸起部设置为p‑shield层；基部包括第一单晶硅和第二单晶硅，第一单晶硅在宽度方向上位于p‑shield层的两侧对称设置，且与电流分散层接触；第二单晶硅位于所述凸形结构的顶部，所述第一单晶硅和第二单晶硅之间设置有氧化层；所述电流分散层上还设有P型基区、P型区、P型阱区和N型源区；本发明在沟槽栅拐角处集成异质结二极管，改善寄生体二极管的特性，降低开关损耗，提升开关速率，同时保持器件静态特性不受影响。
专利主权项内容
1.一种集成异质结二极管的MOSFET器件，其特征在于，包括，衬底层，所述衬底层设置为第一导电类型；外延层，所述外延层位于所述衬底层上方且设置为第一导电类型；电流分散层，所述电流分散层位于所述外延层上方；凸形结构，所述凸形结构位于所述电流分散层上端中部，其包括自下而上设置的凸起部和基部，所述基部设置为沟槽，所述凸起部设置为p-shield层；所述基部包括第一单晶硅和第二单晶硅，所述第一单晶硅在宽度方向上位于所述p-shield层的两侧对称设置，且与所述电流分散层接触；所述第二单晶硅位于所述凸形结构的顶部，所述第一单晶硅和所述第二单晶硅之间设置有氧化层；P型基区，所述P型基区位于所述电流分散层上端的两侧对称设置；P型区，所述P型区位于所述电流分散层两侧对称设置，且所述P型区位于所述P型基区底部；P型阱区，所述P型阱区位于所述P型基区和所述凸形结构之间，且在所述凸形结构的基部两侧对称设置；N型源区，所述N型源区位于所述P型阱区上方，所述N型源区和所述P型阱区靠近所述凸形结构的一侧被所述氧化层隔离。