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单晶硅的拉晶过程控制方法、装置、电子设备及存储介质
申请人信息
- 申请人:南栖仙策(南京)高新技术有限公司
- 申请人地址:210000 江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园天骄路100号江苏南京侨梦苑A栋703室
- 发明人: 南栖仙策(南京)高新技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 单晶硅的拉晶过程控制方法、装置、电子设备及存储介质 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311533461.0 |
| 申请日 | 2023/11/16 |
| 公告号 | CN117552083A |
| 公开日 | 2024/2/13 |
| IPC主分类号 | C30B15/20 |
| 权利人 | 南栖仙策(南京)高新技术有限公司 |
| 发明人 | 张宽阔 |
| 地址 | 江苏省南京市江宁区麒麟科技创新园天骄路100号江苏南京侨梦苑A栋703室 |
摘要文本
南栖仙策(南京)高新技术有限公司取得“一种透气窗帘布”专利技术，本发明公开了一种单晶硅的拉晶过程控制方法、装置、电子设备及存储介质。其中，该方法包括：在待控制单晶硅的拉晶过程中，获取待控制单晶硅在当前时刻对应的多个拉晶过程序列集；基于多个拉晶过程序列集和预先训练得到的晶体直径预测模型，确定待控制单晶硅在当前时刻之后第二预设时长内对应的多个晶体直径预测序列；基于多个晶体直径预测序列，确定目标晶升速度预测序列，并基于目标晶升速度预测序列中的目标预测晶升速度对待控制单晶硅的单晶硅拉晶过程进行控制。本发明实施例的技术方案，实现了能够在不同环境因素影响的情况下，对晶体直径进行智能控制的效果，从而，提高了直径控制精度。
专利主权项内容
1.一种单晶硅的拉晶过程控制方法，其特征在于，包括：在待控制单晶硅的拉晶过程中，获取所述待控制单晶硅在当前时刻对应的多个拉晶过程序列集；其中，所述拉晶过程序列集中包括晶体直径序列、晶升速度序列以及环境参数序列；所述拉晶过程序列集中各序列的序列长度对应于第一预设时长；所述环境参数序列中包括主加热功率和液口距；基于所述多个拉晶过程序列集和预先训练得到的晶体直径预测模型，确定所述待控制单晶硅在当前时刻之后第二预设时长内对应的多个晶体直径预测序列；其中，所述晶体直径预测序列的序列长度对应于所述第二预设时长；基于所述多个晶体直径预测序列，确定目标晶升速度预测序列，并基于所述目标晶升速度预测序列中的目标预测晶升速度对所述待控制单晶硅的单晶硅拉晶过程进行控制。 关注公众号马克数据网