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一种多层波导边缘耦合器
申请人信息
- 申请人:希烽光电科技(南京)有限公司; NANO科技(北京)有限公司
- 申请人地址:211800 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦A座7层
- 发明人: 希烽光电科技(南京)有限公司; NANO科技(北京)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种多层波导边缘耦合器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311654527.1 |
| 申请日 | 2023/12/5 |
| 公告号 | CN117348153A |
| 公开日 | 2024/1/5 |
| IPC主分类号 | G02B6/12 |
| 权利人 | 希烽光电科技(南京)有限公司; NANO科技(北京)有限公司 |
| 发明人 | 张晓波; 方舟; 陈泽; 史弘康; 李磊 |
| 地址 | 江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦A座7层; 北京市海淀区永丰路9号院2号楼4层101 |
摘要文本
本发明提供一种多层波导边缘耦合器，包括波导包层、衬底层和模式转换器，波导包层和衬底层上下设置，模式转换器设置在波导包层中；波导包层上开设有两排通孔，两排通孔位于模式转换器两侧；衬底层内设有空腔，空腔位于通孔下方且与通孔连通；所述模式转换器包括N个依次耦合的波导，第一个波导用于与单模光纤耦合，第N个波导用于与芯片内单模波导耦合，第N个波导至第一个波导的厚度依次递减；所述N为大于1的整数。本发明提供的一种多层波导边缘耦合器，实现与光纤低损耗耦合，同时降低制作精度要求。
专利主权项内容
1.一种多层波导边缘耦合器，其特征在于，包括波导包层(1)、衬底层(5)和模式转换器(3)，波导包层(1)和衬底层(5)上下设置，模式转换器(3)设置在波导包层(1)中；所述波导包层(1)上开设有两排通孔(2)，两排通孔(2)位于模式转换器(3)两侧；衬底层(5)内设有空腔，空腔位于通孔下方且与通孔连通；所述模式转换器(3)包括N个依次耦合的波导，第一个波导用于与单模光纤耦合，第N个波导用于与芯片内单模波导(4)耦合，第N个波导至第一个波导的厚度依次递减；所述N为大于1的整数。。数据由马 克 数 据整理