一种EG-ISFET的3D模型的搭建方法
申请人信息
- 申请人:南京工业大学
- 申请人地址:211899 江苏省南京市浦口区浦珠南路30号
- 发明人: 南京工业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种EG-ISFET的3D模型的搭建方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311251466.4 |
| 申请日 | 2023/9/26 |
| 公告号 | CN117574830A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | G06F30/39 |
| 权利人 | 南京工业大学 |
| 发明人 | 王轶卿; 汪洵; 张炜; 姜继东; 朱兴龙; 丁松 |
| 地址 | 江苏省南京市浦珠南路30号 |
摘要文本
本发明公开了一种EG‑ISFET的3D模型的搭建方法，包括以下步骤：获取待仿真EG‑ISFET器件的结构参数；根据EG‑ISFET器件的结构参数构建网格化EG‑ISFET的3D仿真模型；根据电解液的物化特性，通过TCAD仿真软件建立pH缓冲液模型、定义新材料；对EG‑ISFET的3D仿真模型设置掺杂、接触类型、界面状态、物理模型和pH缓冲液/绝缘体界面位点结合模型等；设置电压参数获得输出特性、转移特性曲线和pH特性曲线，并对仿真结果进行分析。基于该方法，提供了验证EG‑ISFET中扩展栅部分感应电压传导理论的方法，为EG‑ISFET器件的研制提供理论指导。
专利主权项内容
1.一种EG-ISFET的3D模型的搭建方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：启动DevEdit，并且设定基础的仿真环境，包括DevEdit的版本号、库的版本号和仿真区域大小；步骤2：构建基础的EG-ISFET的3D模型；获取待仿真EG-ISFET器件的结构参数，包括：模型换能区的几何尺寸和材料，模型传感区的几何尺寸和材料；步骤3：将基础的EG-ISFET的3D模型进行网格化，其中包括换能区和传感区的几何模型；步骤4：对于步骤2中所述的材料，若库中无相应材料，则通过对该材料的特性进行重新定义并进行组合，获取不同的该材料；所述材料中包括缓冲液材料，通过泊松-玻尔兹曼方程来建立TCAD软件中的pH缓冲液模型，以仿真缓冲液材料；步骤5：对3D模型中不同部位的材料进行掺杂处理，获得不同类型的EG-ISFET仿真模型，其中包括N型和P型；并且定义EG-ISFET的3D模型的电极；步骤6：启动Atlas，设置器件仿真条件，包括材料接触类型，物理模型、界面特性、位点结合模型、数值计算方法，并指定电荷轨迹；步骤7：获取器件特性，设置源漏极、背栅和顶栅电压条件，获得EG-ISFET的3D模型的电特性，获得器件内部信息。 来源：百度马 克 数据网