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一种基于MZ干涉和F-P干涉的新型温度压力光纤传感器及其制备方法以及灵敏度测量方法

申请号: CN202311494910.5
申请人: 南京信息工程大学
更新日期: 2026-03-09

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种基于MZ干涉和F-P干涉的新型温度压力光纤传感器及其制备方法以及灵敏度测量方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311494910.5
申请日 2023/11/10
公告号 CN117367512A
公开日 2024/1/9
IPC主分类号 G01D21/02
权利人 南京信息工程大学
发明人 翁宗恒; 任建新; 刘博; 毛雅亚; 陈帅东; 袁庭轩
地址 江苏省南京市浦口区宁六路219号

摘要文本

本发明公开了一种基于MZ干涉和F‑P干涉的新型温度压力光纤传感器及其制备方法以及灵敏度测量方法,属于光纤传感器技术领域,其包括:相互连接的MZ干涉结构和F‑P干涉结构,所述MZ干涉结构用于测量温度,所述F‑P干涉结构用于测量压力;所述MZ干涉结构包括拉锥花生混合光纤结构,所述拉锥花生混合光纤结构包括相互熔接在一起的花生光纤结构和拉锥光纤结构;所述F‑P干涉结构包括光纤布拉格光栅结构,所述光纤布拉格光栅结构熔接在所述拉锥花生混合光纤结构中花生光纤结构的空接端,所述传感器对于温度以及压力的测量相互之间不发生干扰,创造性地同时实现了对温度和压力的高精度测量。。搜索专利查询网

专利主权项内容

1.一种基于MZ干涉和F-P干涉的新型温度压力光纤传感器,其特征在于,包括:相互连接的MZ干涉结构和F-P干涉结构,所述MZ干涉结构用于测量温度,所述F-P干涉结构用于测量压力;所述MZ干涉结构包括拉锥花生混合光纤结构,所述拉锥花生混合光纤结构包括相互熔接在一起的花生光纤结构和拉锥光纤结构;所述F-P干涉结构包括光纤布拉格光栅结构,所述光纤布拉格光栅结构熔接在所述拉锥花生混合光纤结构中花生光纤结构的空接端。